[发明专利]晶圆键合方法有效
| 申请号： | 201611191657.6 | 申请日： | 2016-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN106783646B | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 胡杏;王华;刘天建 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种晶圆键合方法，其包括以下步骤：提供第一晶圆和第二晶圆；在第一晶圆的第一面离边缘指定距离区域和/或第二晶圆的第一面离边缘指定距离区域形成一环状膜层；在所述第一晶圆的第一面和所述第二晶圆的第一面形成一平坦化层，第一晶圆上的平坦化层和/或第二晶圆上的平坦化层连接环状膜层构成一连续膜层，所述连续膜层的边缘区域的高度不低于其中心区域的高度；将所述第一晶圆的第一面和所述第二晶圆的第一面相对放置，并对所述第一晶圆和/或所述第二晶圆施加压力，以实现所述第一晶圆和第二晶圆的键合。采用本发明提供的晶圆键合方法，避免了晶圆键合后形成缝隙或者减小了晶圆键合后缝隙的尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆键合 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆键合方法，其特征在于，包括以下步骤：提供第一晶圆和第二晶圆；在第一晶圆的第一面离边缘指定距离区域和/或第二晶圆的第一面离边缘指定距离区域形成一环状膜层；在所述第一晶圆的第一面和所述第二晶圆的第一面形成一平坦化层，第一晶圆上的平坦化层和/或第二晶圆上的平坦化层连接环状膜层构成一连续膜层，所述连续膜层的边缘区域的高度不低于其中心区域的高度,所述平坦化层与所述环状膜层的材质相同；将所述第一晶圆的第一面和所述第二晶圆的第一面相对放置，并对所述第一晶圆和/或所述第二晶圆施加压力，以实现所述第一晶圆和第二晶圆的键合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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