[发明专利]晶圆键合方法

权利要求书

1.一种晶圆键合方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供第一晶圆和第二晶圆；

在第一晶圆的第一面离边缘指定距离区域和/或第二晶圆的第一面离边缘指定距离区域形成一环状膜层；

在所述第一晶圆的第一面和所述第二晶圆的第一面形成一平坦化层，第一晶圆上的平坦化层和/或第二晶圆上的平坦化层连接环状膜层构成一连续膜层，所述连续膜层的边缘区域的高度不低于其中心区域的高度,所述平坦化层与所述环状膜层的材质相同；

将所述第一晶圆的第一面和所述第二晶圆的第一面相对放置，并对所述第一晶圆和/或所述第二晶圆施加压力，以实现所述第一晶圆和第二晶圆的键合。

2.如权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于，在形成所述平坦化层之后，将所述第一晶圆的第一面和所述第二晶圆的第一面相对放置之前，还包括：对所述平坦化层进行平坦化工艺。

3.如权利要求2所述的晶圆键合方法，其特征在于，所述平坦化工艺为化学机械抛光工艺。

4.如权利要求1或2所述的晶圆键合方法，其特征在于，所述第一晶圆上的环状膜层形成于离第一晶圆第一面边缘3mm～5mm区域，所述第二晶圆上的环状膜层形成于离第二晶圆第一面边缘3mm～5mm区域。

5.如权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于，所述平坦化层的材质为绝缘材料。

6.如权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于，所述环状膜层的材质为绝缘材料。

7.如权利要求1或2所述的晶圆键合方法，其特征在于，在第一晶圆的第一面离边缘指定距离区域形成一环状膜层，所述环状膜层的形成方法为：

遮挡所述第一晶圆的第一面的中心区域和边缘不需形成环装膜层的环状区域，通过化学气相沉积工艺在所述第一晶圆的第一面离边缘指定距离区域形成一环状膜层。

8.如权利要求1或2所述的晶圆键合方法，其特征在于，在第一晶圆的第一面离边缘指定距离区域形成一环状膜层，所述环状膜层的形成方法为：

通过化学气相沉积工艺在所述第一晶圆的第一面的所有区域沉积薄膜；

通过光刻和刻蚀工艺去除所述第一晶圆的第一面的中心区域和边缘不需形成环装膜层区域的薄膜，保留所述第一晶圆的第一面离边缘指定距离区域的薄膜，以形成所述环状膜层。

9.如权利要求1或2所述的晶圆键合方法，其特征在于，在第二晶圆的第一面离边缘指定距离区域形成一环状膜层，所述环状膜层的形成方法为：

遮挡所述第二晶圆的第一面的中心区域和边缘不需形成环装膜层的环状区域，通过化学气相沉积工艺在所述第二晶圆的第一面离边缘指定距离区域形成一环状膜层。

10.如权利要求1或2所述的晶圆键合方法，其特征在于，在第二晶圆的第一面离边缘指定距离区域形成一环状膜层，所述环状膜层的形成方法为：

通过化学气相沉积工艺在所述第二晶圆的第一面的所有区域沉积薄膜；

通过光刻和刻蚀工艺去除所述第二晶圆的第一面的中心区域和边缘不需形成环装膜层区域的薄膜，保留所述第二晶圆的第一面离边缘指定距离区域的薄膜，以形成所述环状膜层。

11.如权利要求1或2所述的晶圆键合方法，其特征在于，所述第一晶圆和所述第二晶圆均为器件晶圆。

12.如权利要求1或2所述的晶圆键合方法，其特征在于，所述压力施加在所述第一晶圆和/或所述第二晶圆的中心。