[发明专利]一种双差分的全硅结构的微加速度计及其制造方法在审
| 申请号： | 201611191423.1 | 申请日： | 2016-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN106501548A | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 许蔚;杨杰;谢国芬;王斌;刘显学;唐彬 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 主分类号： | G01P15/125 | 分类号： | G01P15/125;G01P15/18;G01P1/00 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙)51211 | 代理人： | 蒋斯琪 |
| 地址： | 621999 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双差分全硅结构的微加速度计及其制造方法，涉及微电子机械系统领域。本发明首先通过基底耦合的方式，使4个类似的斜梁‑敏感质量块结构在外部环境的作用下都发生基本一致的形变；然后通过双差分的检测方法a=k(ΔCa‑ΔCb)，将外界环境造成的扰动抑制掉，从而提高了器件的长期稳定性和温度稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双差分 结构 加速度计 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种双差分的全硅结构微加速度计，其特征在于：包括上层硅盖板（1）、中间敏感硅结构层（2）和下层SOI硅片盖板（3）；所述上层硅盖板（1）、中间敏感硅结构层（2）和下层SOI硅片盖板（3）均是采用各项异性湿法腐蚀工艺制备，并通过硅‑硅键合形成一个封闭的、呈中心对称的整体结构；所述中间敏感硅结构层（2）包括四个按特定方位分布、正交摆放的敏感质量块‑斜悬臂梁结构；所述敏感质量块‑斜悬臂梁结构与上下极板构成一组差分检测电容；四组差分检测电容通过一块硅基底耦合在一起；每两组差分检测电容通过金属引线连接在一起。
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