[发明专利]IGBT和制备方法以及电子设备、车辆在审
| 申请号： | 201611180807.3 | 申请日： | 2016-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN108206212A | 公开（公告）日： | 2018-06-26 |
| 发明（设计）人： | 花旭;张新华;陈大军 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张润 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提出了IGBT和制备方法以及用途。该IGBT包括：该IGBT包括：集电区；漂移区，所述漂移区形成在所述集电区上；阱区，所述阱区形成在所述漂移区中；发射区，所述发射区形成在所述阱区中；载流子阻挡区，所述载流子阻挡区形成在阱区中，且与所述载流子阻挡区不与除所述阱区以外的结构接触；以及栅介质层、栅极和发射极，所述栅介质层、所述栅极以及所述发射极形成在所述漂移区上。通过在阱区中引入载流子阻挡区，相当于引入了达林顿管，从而可以降低IGBT的导通电阻。该IGBT通过采用新型结构而非载流子寿命控制的方式实现导通电压的调控，因此避免了传统的载流子寿命控制方法而导致的器件关断损耗增加的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 阱区 载流子 漂移区 阻挡区 载流子寿命 栅介质层 发射极 发射区 集电区 制备 达林顿管 导通电压 导通电阻 电子设备 关断损耗 结构接触 传统的 引入 调控 | ||
【主权项】：
1.一种IGBT，其特征在于，包括：集电区；漂移区，所述漂移区形成在所述集电区上；阱区，所述阱区形成在所述漂移区中；发射区，所述发射区形成在所述阱区中；载流子阻挡区，所述载流子阻挡区形成在阱区中，且与所述载流子阻挡区不与除所述阱区以外的结构接触；以及栅介质层、栅极和发射极，所述栅介质层、所述栅极以及所述发射极形成在所述漂移区上。
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