[发明专利]一种忆阻器及其应用有效
| 申请号： | 201611178578.1 | 申请日： | 2016-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN106654009B | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 诸葛飞;胡令祥;曹鸿涛 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 刘诚午 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种忆阻器，包括：依次在衬底上形成底电极层、中间介质层和顶电极层；所述中间介质层由硫族化合物层和氧化物层组成，其中，硫族化合物层与底电极层相接，氧化物层与顶电极层相接。本发明通过采用合适的顶电极与氧化物层和硫族化合物层组合，使得制备出的忆阻器具有超低的工作电压，表现出超高的电灵敏性。本发明还提供了一种忆阻器在制备神经突触仿生器件中的应用，该忆阻器表现出很好的突触可塑性，并具有超低的工作电压下实现了短程可塑性和长程可塑性，成功制备出高灵敏性的神经突触仿生器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 忆阻器 及其 应用 | ||
【主权项】：
1.一种忆阻器，其特征在于，包括：依次在衬底上形成底电极层、中间介质层和顶电极层；所述中间介质层由硫族化合物层和氧化物层组成，其中，硫族化合物层与底电极层相接，氧化物层与顶电极层相接；所述的氧化物层完全覆盖在硫族化合物层上。
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