[发明专利]一种忆阻器及其应用

权利要求书

1.一种忆阻器，其特征在于，包括：依次在衬底上形成底电极层、中间介质层和顶电极层；

所述中间介质层由硫族化合物层和氧化物层组成，其中，硫族化合物层与底电极层相接，氧化物层与顶电极层相接；所述的氧化物层完全覆盖在硫族化合物层上。

2.根据权利要求1所述的忆阻器，其特征在于，所述硫族化合物层的材料为硫化锌、硫化银、硫化亚铜、硫化锗、硫化镉、硫化钨、硫化钼、硒化铅、硒化锌、硒化镉、硒化锗、碲化锌和碲化铟中的一种或多种。

3.根据权利要求2所述的忆阻器，其特征在于，所述硫族化合物层的材料为硫化锌。

4.根据权利要求1所述的忆阻器，其特征在于，所述氧化物层的材料为氧化锌、氧化锆、氧化铪、二氧化硅、氧化钽、二氧化钛、氧化铝、氧化镍和氧化钨中的一种或多种。

5.根据权利要求4所述的忆阻器，其特征在于，所述氧化物层的材料为氧化锌。

6.根据权利要求1所述的忆阻器，其特征在于，所述中间介质层的总厚度为1～500nm。

7.根据权利要求6所述的忆阻器，其特征在于，所述中间介质层的总厚度为70～100nm。

8.根据权利要求1所述的忆阻器，其特征在于，所述顶电极层的材料为铜、银、铝、钛、镍、锌、锡、锰和铁中的一种或多种，所述顶电极层的厚度为1～500nm。

9.根据权利要求8所述的忆阻器，其特征在于，所述顶电极层的材料为铜，其厚度为50nm。

10.一种根据权利要求1所述的忆阻器在制备神经突触仿生器件中的应用。