[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置

摘要

本发明提供抑制伴随聚焦环的消耗而产生的孔的倾斜度的变动的等离子体处理装置(1)，其包括腔室(10)、载置台(16)、聚焦环(24a)、第1电极板(36)和第2电极板(35)。聚焦环(24a)以包围载置台(16)的载置面的方式设置在载置台的周围。第1电极板设置在载置台的上方。第2电极板以包围第1电极板的方式设置在第1电极板的周围，与第1电极板绝缘。等离子体处理装置在第1步骤中利用在腔室内生成的等离子体对载置于载置台的载置面的半导体晶片(W)实施规定的处理。另外，等离子体处理装置在第2步骤中根据第1步骤的经过时间，使施加在第2电极板的负的直流电压的绝对值增加。

主权项

1.一种等离子体处理方法，其特征在于：所述等离子体处理方法中使用等离子体处理装置，该等离子体处理装置包括：腔室；载置台，其设置在所述腔室的内部，具有用于载置被处理基板的载置面；以包围所述载置面的方式设置在所述载置台的周围的聚焦环；以与所述载置面相对的方式设置在所述载置台的上方的第1上部电极；和与第1上部电极绝缘的第2上部电极，其以包围所述第1上部电极的方式设置在所述第1上部电极的周围，所述等离子体处理装置实施以下步骤：利用在所述腔室内生成的等离子体对载置于所述载置面的所述被处理基板实施规定的处理的第1步骤；和根据第1步骤的经过时间，使施加在第2上部电极的负的直流电压的绝对值增加的第2步骤；所述等离子体处理装置在所述第2步骤中，基于第1数据和第2数据决定施加在所述第2上部电极的负的直流电压的绝对值，所述第1数据表示与所述第1步骤的经过时间对应的所述被处理基板的边缘附近的孔的倾斜角度，所述第2数据表示与施加在所述第2上部电极的负的直流电压的绝对值对应的、所述被处理基板的边缘附近的孔的倾斜角度。