[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置

权利要求书

1.一种等离子体处理方法，其特征在于：

所述等离子体处理方法中使用等离子体处理装置，

该等离子体处理装置包括：

腔室；

载置台，其设置在所述腔室的内部，具有用于载置被处理基板的载置面；

以包围所述载置面的方式设置在所述载置台的周围的聚焦环；

以与所述载置面相对的方式设置在所述载置台的上方的第1上部电极；和

与第1上部电极绝缘的第2上部电极，其以包围所述第1上部电极的方式设置在所述第1上部电极的周围，

所述等离子体处理装置实施以下步骤：

利用在所述腔室内生成的等离子体对载置于所述载置面的所述被处理基板实施规定的处理的第1步骤；和

根据第1步骤的经过时间，使施加在第2上部电极的负的直流电压的绝对值增加的第2步骤；

所述等离子体处理装置在所述第2步骤中，基于第1数据和第2数据决定施加在所述第2上部电极的负的直流电压的绝对值，所述第1数据表示与所述第1步骤的经过时间对应的所述被处理基板的边缘附近的孔的倾斜角度，所述第2数据表示与施加在所述第2上部电极的负的直流电压的绝对值对应的、所述被处理基板的边缘附近的孔的倾斜角度。

2.如权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于：

对于各个施加在所述第1上部电极的直流电压的值生成所述第2数据，

所述等离子体处理装置在所述第2步骤中，确定与施加在所述第1上部电极的直流电压的值对应的所述第2数据，基于所确定的所述第2数据和所述第1数据，决定施加在所述第2上部电极的负的直流电压的绝对值。

3.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

腔室；

载置台，其设置在所述腔室的内部，具有用于载置被处理基板的载置面；

以包围所述载置面的方式设置在所述载置台的周围的聚焦环；

以与所述载置面相对的方式设置在所述载置台的上方的第1上部电极；和

与第1上部电极绝缘的第2上部电极，其以包围所述第1上部电极的方式设置在所述第1上部电极的周围；

控制部，其进行如下所述的控制：根据利用在所述腔室内生成的等离子体对所述被处理基板实施规定的处理的经过时间，使施加在所述第2上部电极的负的直流电压的绝对值增加；和

存储第1数据和第2数据的存储部，其中，所述第1数据表示与利用在所述腔室内生成的等离子体对所述被处理基板实施规定的处理的经过时间对应的所述被处理基板的边缘附近的孔的倾斜角度，所述第2数据表示与施加在所述第2上部电极的负的直流电压的绝对值对应的、所述被处理基板的边缘附近的孔的倾斜角度；

所述控制部从所述存储部读取所述第1数据和第2数据，基于所读取的所述第1数据和第2数据，决定施加在所述第2上部电极的负的直流电压的绝对值。

4.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述存储部对于各个施加在所述第1上部电极的直流电压的值存储所述第2数据，

所述控制部在所述存储部存储的所述第2数据之中确定与施加在所述第1上部电极的直流电压的值对应的所述第2数据，基于所确定的所述第2数据和所述第1数据，决定施加在所述第2上部电极的负的直流电压的绝对值。

5.如权利要求3或4所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述第2上部电极是圆环状，

所述第2上部电极的内周面以将所述聚焦环的轴线作为基准位于比所述聚焦环的内周面远离所述轴线的位置的方式配置在所述第1上部电极的周围。