[发明专利]改善金属氧化物薄膜方阻均匀性的PVD腔体结构

摘要

本发明提出一种改善金属氧化物薄膜方阻均匀性的PVD腔体结构，包括：腔体、驱动装置、磁性件、靶材、上挡板、下挡板、晶片等；上挡板呈倒锥形筒状，上挡板的外沿架设在腔体的开口处，且上挡板的底端低于基座压环的上表面；腔体开设有氧气进口，进口处安装有进气环，气环分为外环和内环，外环是一个进气口，分开两个出气口，分开的两路孔连接内环，内环的孔对称分布。本发明的腔体结构，气体进入腔体后不会立即从上、下挡板之间的缝隙中抽走，气体下抽的过程中，气流会有一个向中心方向的矢量，提高了晶圆中心的反应气体浓度；将混合进气改为单独进气，气流分布均匀，弥散性更好，氧气和氩气进气口分开，氩气能更好的搅拌氧气，使氧气分布更均匀。

主权项

1.一种改善金属氧化物薄膜方阻均匀性的PVD腔体结构，其特征在于，包括：底部具有进气口的腔体，安装在腔体上方的驱动装置、磁性件和靶材，置于腔体内的上挡板、下挡板、晶片和加热器，安装在所述腔体侧壁上的低温泵；所述驱动装置和所述磁性件相连接，所述靶材置于所述磁性件的下方；所述晶片放置在所述加热器上，并置于所述上、下挡板围成的空间内，晶片通过基座压环安装在加热器上；所述上挡板呈倒锥形筒状，上挡板的上端的外沿架设在所述腔体的开口处，且上挡板的底端低于所述基座压环的上表面；所述腔体的底部开设有氩气的进气口，所述腔体的侧壁开设有氧气进口，所述氧气进口处安装有进气环，所述进气环包括相连接外环和内环，所述外环具有两个与内环相连接的进气孔，所述内环设有2n个出气孔，其中n为自然数。