[发明专利]模拟多端口方法、其装置、存储器、窗处理模块及电子设备有效

专利信息
申请号: 201611159541.4 申请日: 2016-12-15
公开(公告)号: CN106681940B 公开(公告)日: 2018-06-22
发明(设计)人: 林兴武 申请(专利权)人: 建荣半导体(深圳)有限公司;建荣集成电路科技(珠海)有限公司;珠海煌荣集成电路科技有限公司
主分类号: G06F12/0877 分类号: G06F12/0877
代理公司: 深圳市六加知识产权代理有限公司 44372 代理人: 宋建平
地址: 518000 广东省深圳市南山区*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供了一种静态随机读取存储器的模拟多端口方法、模拟装置、存储器、窗处理模块及其电子设备。所述静态随机读取存储器包括若干个静态随机读取存储模块。该模拟多端口方法包括:在第一时钟周期,预先读取所述静态随机读取存储模块的第一静态存储单元的第一数据;在第二时钟周期,在所述第一静态存储单元写入第二数据,并且输出所述第一数据。该方法解决了选用单端口SRAM与多端口SRAM的矛盾,在使用较少的单端口SRAM的情况下通过模拟多端口的方式实现更好的工作性能,降低电路的硬件成本和提高良品率。
搜索关键词: 多端口 读取 随机读取存储器 静态存储单元 存储器 存储模块 第一数据 电子设备 时钟周期 窗处理 单端口 多端口SRAM 工作性能 模拟装置 硬件成本 良品率 电路 写入 输出 矛盾
【主权项】:
1.一种静态随机读取存储器的模拟多端口方法,所述静态随机读取存储器包括k个静态随机读取存储模块,所述静态随机读取存储模块包括n个静态存储单元,其特征在于,包括:在第一时钟周期,在编号为(n‑2,k‑1)的静态存储单元写入第三存储信息;n和k均为正整数;以二元数组(n,k)表示与第k个静态随机读取存储器中的第n个存储单元对应的编号;读取编号为(n‑1,1)、(n‑1,2)至(n‑1,k)的k个静态存储单元存储的第一存储信息;在第二时钟周期,在编号为(n‑1,k‑1)的静态存储单元写入第二存储信息;读取编号为(n,1)、(n,2)至(n,k)的k个静态存储单元存储的第四存储信息,并且获取所述第一存储信息。
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