[发明专利]互连结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201611156276.4 | 申请日： | 2016-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN108231659A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 孙宝海 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种互连结构及其制造方法，涉及半导体技术领域。其中，所述方法包括：提供在金属互连层上的电介质层；在所述电介质层上沉积碳氟化合物层；在所述碳氟化合物层上形成图案化的硬掩模层；以所述硬掩模层为掩模刻蚀所述碳氟化合物层和所述电介质层，以形成到所述电介质层中的沟槽和到所述金属互连层的通孔；沉积金属以填充所述沟槽和所述通孔；执行平坦化工艺，以使得剩余的金属和剩余的碳氟化合物层基本齐平。本发明能够提高互连结构的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 电介质层 碳氟化合物层 互连结构 金属互连层 硬掩模层 通孔 半导体技术领域 沉积金属 沉积碳氟 化合物层 基本齐平 平坦化 图案化 刻蚀 掩模 填充 制造 金属 | ||
【主权项】：
1.一种互连结构的制造方法，其特征在于，包括：提供在金属互连层上的电介质层；在所述电介质层上沉积碳氟化合物层；在所述碳氟化合物层上形成图案化的硬掩模层；以所述硬掩模层为掩模刻蚀所述碳氟化合物层和所述电介质层，以形成到所述电介质层中的沟槽和到所述金属互连层的通孔；沉积金属以填充所述沟槽和所述通孔；执行平坦化工艺，以使得剩余的金属和剩余的碳氟化合物层基本齐平。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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