[发明专利]互连结构及其制造方法

权利要求书

1.一种互连结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供在金属互连层上的电介质层，所述电介质层包括多孔低k或超低k电介质层，所述多孔低k或超低k电介质层包括SiOCH；

在所述电介质层上沉积含氢的碳氟化合物层；

在所述碳氟化合物层上形成图案化的硬掩模层；

以所述硬掩模层为掩模刻蚀所述碳氟化合物层和所述电介质层，以形成到所述电介质层中的沟槽和到所述金属互连层的通孔；

沉积金属以填充所述沟槽和所述通孔；

执行平坦化工艺，以使得剩余的金属和剩余的碳氟化合物层基本齐平。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硬掩膜层具有延伸到所述硬掩膜层中的第一开口；

所述以所述硬掩模层为掩模刻蚀所述碳氟化合物层和所述电介质层，以形成到所述电介质层中的沟槽和到所述金属互连层的通孔包括：

在所述硬掩模层上形成图案化的第一掩模层，所述第一掩模层具有延伸到所述第一开口的底部的第二开口；

以所述第一掩模层为掩模刻蚀所述硬掩模层、所述碳氟化合物层和所述电介质层，从而形成到所述电介质层中的第三开口；

去除所述第一掩模层；

以剩余的硬掩模层为掩模去除所述第三开口下的电介质层，并去除第一开口下的硬掩模层、碳氟化合物层和电介质层的一部分，从而形成所述沟槽和所述通孔。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，

所述第一掩模层具有延伸到所述第一开口的底部的两个第二开口，从而形成到所述金属互连层的两个通孔。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述碳氟化合物层上形成图案化的硬掩模层包括：

在所述碳氟化合物层上依次形成第一硬掩模层、第二硬掩模层和第三硬掩模层；

在所述第三硬掩模层之上形成图案化的第二掩模层；

以所述第二掩模层为掩模刻蚀所述第三硬掩模层和所述第二硬掩模层，从而形成延伸到所述第二硬掩模层中或延伸到所述第一硬掩模层的表面的第一开口；

去除所述第二掩模层。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在所述第三硬掩模层之上形成图案化的第二掩模层包括：

在所述第三硬掩模层上形成遮蔽氧化物层；

在所述遮蔽氧化物层上形成所述第二掩模层；

所述以所述第二掩模层为掩模刻蚀所述第三硬掩模层和所述第二硬掩模层包括：

以所述第二掩模层为掩模刻蚀所述遮蔽氧化物层、所述第三硬掩模层和所述第二硬掩模层；

在去除所述第二掩模层之后，所述方法还包括：

去除剩余的遮蔽氧化物层。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，

所述第一硬掩模层包括无孔的SiOCH；

所述第二硬掩模层包括TEOS；

所述第三硬掩模层包括TiN。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在沉积金属前，还包括：

执行加热处理，以去除所述电介质层中的水分。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在100-400℃的温度范围内，并以氮气、氨气和联氨中的至少一种气体作为保护气体来执行所述加热处理。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

在剩余的金属和剩余的碳氟化合物层上沉积SiCN层。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电介质层包括在所述金属互连层上的SiCN层、在所述SiCN层上的缓冲层和在所述缓冲层上的所述多孔低k电介质层。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述碳氟化合物层的厚度为5-1000埃。