[发明专利]一种NANDFlash控制器的控制方法和装置在审
| 申请号： | 201611146248.4 | 申请日： | 2016-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN106776391A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 杨燕;李英祥;余乐韬 | 申请（专利权）人： | 成都信息工程大学 |
| 主分类号： | G06F13/16 | 分类号： | G06F13/16 |
| 代理公司： | 成都信博专利代理有限责任公司51200 | 代理人： | 张辉,崔建中 |
| 地址： | 610225 四川省成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种NAND Flash控制器的控制方法和装置，在定义层按照NAND Flash操作时序接口定义一系列寄存器组，解析层按照定义的寄存器组进行译码，物理实现层按照定义层所定义的寄存器组，完成操作NAND Flash颗粒的具体时序的实现，驱动NAND Flash存储器接口，从而实现NAND Flash颗粒读取、编程、擦除操作。本发明能够满足现有的各种厂商的各种类型的NAND Flash接口颗粒时序，完成存储器地正确编程、读取、擦除操作，由于定义层可灵活定义一系列寄存器组合，将定义层定义的寄存器进行组合，产生不同类型颗粒不同操作的时序，而无需添加更多的硬件电路，因此，能灵活地适应未来NAND Flash颗粒发展出现的新的时序特征。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nandflash 控制器 控制 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种NAND Flash控制器的控制方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：定义一系列功能寄存器组，用于操作NAND Flash颗粒接口；所述寄存器组包括通过ARM CPU定义NAND Flash控制器中操作NAND Flash颗粒的时序接口；步骤2：解析步骤1中的寄存器组，得到相应执行指令；步骤3：将解析后的执行指令送至物理实现层，物理实现层实施具体的执行指令，执行所述步骤2中的执行指令，驱动NAND flash接口，按照操作时序控制NAND Flash颗粒。
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