[发明专利]一种NANDFlash控制器的控制方法和装置

权利要求书

1.一种NAND Flash控制器的控制方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：定义一系列功能寄存器组，用于操作NAND Flash颗粒接口；所述寄存器组包括通过ARM CPU定义NAND Flash控制器中操作NAND Flash颗粒的时序接口；

步骤2：解析步骤1中的寄存器组，得到相应执行指令；

步骤3：将解析后的执行指令送至物理实现层，物理实现层实施具体的执行指令，执行所述步骤2中的执行指令，驱动NAND flash接口，按照操作时序控制NAND Flash颗粒。

2.如权利要求1所述的一种NAND Flash控制器的控制方法，其特征在于，所述寄存器组还包括：

选择NAND Flash访问接口是异步、ONFI还是Toggle类型，以及不同类型的不同版本的选择；

定义NAND Flash控制器中ECC模块对NAND Flash闪存颗粒操作时纠错能力的配置；

定义编程数据寄存器接口，用于提供NAND Flash控制器向NAND Flash颗粒所要编程的数据；

定义NAND Flash控制器操作NAND Flash颗粒的具体时序指令，包括CE使能哪一颗NAND Flash存储颗粒定义、CLE访问命令定义、ALE访问NAND Flash颗粒地址定义、WE、RE读写控制寄存器定义以及ONFI和Toggle类型下驱动数据读写采样的DQS信号定义。

3.一种NAND Flash控制器的控制装置，其特征在于，包括依次相连的定义层模块、解析层模块、物理实现层模块、NAND Flash接口模块，所有模块均采用全数字逻辑电路实现；

所述定义层模块：用于定义NAND Flash控制器操作NAND Flash颗粒的具体时序指令，配置NAND Flash接口寄存器、ECC纠错能力寄存器、通道数寄存器、等待时间寄存器、编程数据寄存器、CE寄存器、CLE寄存器、ALE寄存器、WE寄存器、RE寄存器、CLK寄存器、DQS寄存器；

所述解析层模块：用于解析定义层模块定义的一系列NAND Flash控制器的寄存器组，将解析后的指令传送至物理实现层模块；所述解析层模块由命令译码器电路完成对不同的定义寄存器信号解析操作；

所述物理实现层模块：用于实现译码出来的具体寄存器指令，并根据配置的寄存器接口实现访问NAND Flash颗粒的具体时序产生与组合，传送至NAND Flash接口模块；

所述NAND Flash接口模块：用于将组合好后访问颗粒时序提供至NAND Flash存储器，按照标准的操作时序驱动NAND Flash颗粒，完成NAND Flash存储器的读取、编程、擦除操作。

4.如权利要求3所述的一种NAND Flash控制器的控制装置，其特征在于，所述物理实现层模块包括ECC编解码驱动电路、控制状态机电路、底层接口时序实现电路；

所述ECC编解码驱动电路，用于接收命令译码器电路对定义的ECC纠错能力寄存器，根据配置纠错能力值，ECC编解码驱动电路根据不同的纠错能力值，调整校验码长度提供至ECC编解码模块；

所述控制状态机电路，用于根据解析出定义的寄存器，产生控制NAND Flash颗粒的时序信号，控制状态机电路通过层层调用一系列子状态机电路产生所配置的一系列控制时序信号；

所述底层接口时序实现电路，从顶层控制产生时序的各个子状态机，将各个子状态机产生的时序信号按照NAND Flash接口时序进行组合，完成操作NAND Flash颗粒的各个时序控制信号的接口控制，并传送至NAND Flash接口模块。