[发明专利]一种基于相变纳米线的集成型全光存储器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于相变纳米线的集成型全光存储器件及其制备方法，特点是包括波导、与波导两端相连的布拉格光栅垂直耦合器以及、波导上且与波导平行的相变纳米线，其制备方法步骤包括在硅基底上利用曝光刻蚀工艺制备出波导及其两端的布拉格光栅耦合器，将纳米线转移至波导上，并且与波导平行，采用擦/写光脉冲从波导一端的布拉格光栅耦合器耦合至波导，通过波导上的倏逝场使相变纳米线发生相变，探测光通过波导另一端布拉格光栅耦合器耦合至波导，实时监测器件透过率的变化来读取存储的数据，优点是本器件可以用于高速、高密度、低功耗的全光网络集成存储芯片。

主权项

1.一种基于相变纳米线的集成型全光存储器件，其特征在于：包括波导，所述的波导两端分别连接有光栅垂直耦合器，所述的波导上设置有相变纳米线，所述的相变纳米线与所述的波导平行，所述的波导为硅基平面光波导，其宽为0.2‑20μm，厚度为10‑1000nm；所述的光栅垂直耦合器的光栅是布拉格光栅，其耦合效率为1‑50％；所述的相变纳米线为Sb基或Te基相变材料，其直径为20‑600nm，长度为1‑10μm。