[发明专利]一种轨到轨的自适应快速响应缓冲器电路有效

专利信息
申请号: 201611125879.8 申请日: 2016-12-08
公开(公告)号: CN106656161B 公开(公告)日: 2019-07-12
发明(设计)人: 李现坤;于宗光;潘福跃;肖培磊;宣志斌;罗永波 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第五十八研究所
主分类号: H03K19/0185 分类号: H03K19/0185
代理公司: 总装工程兵科研一所专利服务中心 32002 代理人: 杨立秋
地址: 214035 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种轨到轨的自适应快速响应缓冲器电路。本发明为了解决传统的缓冲器的功耗、响应速度难以折中的难题,提出了一种新型的电路结构:通过采用NMOS差分输入对和PMOS差分输入对并联的方式,实现轨到轨的输入,并在NMOS差分输入对的负载处引入一个反馈环路,从而使输入级的响应速度与输入信号的幅度呈自适应变化:输入信号的幅度越大,NMOS差分输入管响应速度越大;输出级采用推挽式的结构,使输出端口的电流能够灵活地流出或流进,在保证电源效率的情况下,进一步提高了缓冲器的响应速度。
搜索关键词: 一种 轨到轨 自适应 快速 响应 缓冲器 电路
【主权项】:
1.一种轨到轨的自适应快速响应缓冲器电路,其特征是:包括输入级、输出级;其中输入级包括:NMOS差分输入对和PMOS差分输入对并联,所述NMOS差分输入对包括源极对应连接并连接电流沉ISS1的NMOS管MN1和NMOS管MN2;所述PMOS差分输入对包括源极对应连接并连接电流源ISS2的PMOS管MP1和PMOS管MP2;NMOS管MN1栅极和PMOS管MP2栅极相连并连接正端输入Vi_p,NMOS管MN2栅极和PMOS管MP1栅极相连并连接负端输入Vi_n;NMOS管MN1的漏极与PMOS管MP9的漏极、跨导运算放大器Gm1的正端输入连接;PMOS管MP9的栅极与跨导运算放大器Gm1的输出端、PMOS管MP3的栅极连接;PMOS管MP3的漏极与PMOS管MP5的源极连接;PMOS管MP5的漏极与PMOS管MP1的漏极、PMOS管MP7的源极、NMOS管MN4的栅极连接;PMOS管MP7的漏极与地连接;PMOS管MP7的栅极通过与电阻串联,最终连接地;NMOS管MN2的漏极与PMOS管MP10的漏极、跨导运算放大器Gm2的正端输入连接;PMOS管MP10的栅极与跨导运算放大器Gm2的输出端、PMOS管MP4的栅极连接;PMOS管MP4的漏极与PMOS管MP6的源极连接;PMOS管MP6的漏极与PMOS管MP2的漏极、PMOS管MP8的源极、NMOS管MN3的栅极连接;PMOS管MP8的漏极与地连接;PMOS管MP8的栅极通过与电阻串联,最终连接地;所述输出级为两级推挽式的结构,包括:源极对应连接并连接电流沉ISS3的NMOS管MN3和NMOS管MN4构成差分对结构;NMOS管MN3的漏极连接PMOS管MP11的漏极、栅极以及PMOS管MP12的栅极;NMOS管MN4的漏极连接PMOS管MP13的漏极、栅极以及PMOS管MP14的栅极连接;PMOS管MP12的漏极与NMOS管MN5的漏极、栅极和NMOS管MN6的栅极连接;PMOS管MP14的漏极与NMOS管MN6的漏极连接作为缓冲器的输出端口Vout;输入级实现轨到轨的输入,输出级采用工作于AB类工作状态的推挽式的结构,在较高的电源效率下实现大摆幅输出;其中PMOS管MP3源级、PMOS管MP4源级、PMOS管MP9源级、PMOS管MP10源级、PMOS管MP11源级、PMOS管MP12源级、PMOS管MP13源级、PMOS管MP14源级均接高电平,NMOS管MN5源级、NMOS管MN6源级均接地。
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