[发明专利]薄膜型微热导检测器及其制备方法有效
| 申请号： | 201611124545.9 | 申请日： | 2016-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN108181415B | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 冯飞;侯磊;田博文;李昕欣 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G01N30/66 | 分类号： | G01N30/66;B81B1/00;B81C1/00;B81C3/00 |
| 代理公司： | 上海泰博知识产权代理有限公司 31451 | 代理人： | 钱文斌 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜型微热导检测器及其制备方法，该薄膜型微热导检测器具有三明治结构，从下而上依次是玻璃衬底、带微沟槽的硅片和带微沟道的玻璃；交叉网状结构制作于硅片表面并悬浮于微通道之中，其结构是由两层氧化硅/氮化硅薄膜所保护的热敏电阻；关键工艺包括通过深反应离子刻蚀（DRIE）工艺刻蚀硅片背面硅释放交叉网状结构，通过两次静电键合完成微热导检测器芯片的制作。本发明的热敏电阻的上下两层氧化硅/氮化硅薄膜不仅对其起到保护作用，并且由于结构的对称分布还能起到应力平衡的作用，减小了交叉网状结构的形变，大大提高了热敏电阻支撑结构的强度及稳定性；采用一步DRIE工艺释放交叉网状结构，使得微沟槽侧壁陡直，器件死体积小。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 型微热导 检测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜型微热导检测器，其特征在于：包括：硅衬底，所述硅衬底中形成有微沟槽结构；由第一介质薄膜‑热敏电阻‑第二介质薄膜形成的图形化堆叠结构，悬挂于所述硅衬底的正面的微沟槽结构中；带有微沟道的玻璃片，键合于所述硅衬底正面，且使得所述图形化堆叠结构位于所述玻璃片的微沟道内；玻璃衬底，键合于所述硅衬底的背面。
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