[发明专利]一种采用电火花切割技术快速切割CdS单晶体的方法

摘要

本发明设计一种用于CdS单晶体的切割方法，属于半导体材料的加工领域。步骤如下，用平面磨床将CdS晶锭的生长面磨平；用X射线衍射仪对磨平的端面进行定向；对CdS晶锭进行滚圆，然后进行主参考面和副参考面制作；用真空吸附台将CdS晶锭吸附住，晶锭的主参考面朝下；调整电火花切割机切割参数，对晶锭进行切割；切割完成后，依次采用煤油浸泡、热酒精对切割后的晶片进行冲洗，然后将卡具放在温度为80℃的热水中，使胶软化，将晶片取下，进行下一步操作。采用非接触式的电火花切割技术对n型CdS晶锭进行切割，可以大大的提高切割效率、减少碎片的产生。

主权项

1.一种采用电火花切割技术快速切割CdS单晶体的方法，其特征在于：步骤如下，第一步，用高温蜡（3）将CdS晶锭（1）的剥离面（1-1）粘贴在一个总厚度变化小于5 μm的铸铁托（2）上，用平面磨床将CdS晶锭（1）的生长面（1-2）磨平；第二步，用X射线衍射仪对磨平的端面进行定向，根据晶向偏离（0001）的偏移量进行调整，对生长面（1-2）再次进行平面磨，直到该端面偏离正晶向的角度小于0.5°；第三步，将CdS晶锭（1）从铸铁托（2）上取下，用高温蜡（3）将已磨平的生长面（1-2）贴在铸铁托（2）上，用平面磨床将晶锭的剥离面（1-1）磨平，然后将铸铁托（2）装卡到滚圆磨床的样品台上，先对CdS晶锭（1）进行滚圆，然后进行主参考面（1-3）和副参考面（1-4）制作；第四步，滚圆和参考面制作完成之后，将CdS晶锭（1）从铸铁托（2）上取下，用酒精将CdS晶锭（1）擦洗干净，然后用真空吸附台（4-2）将CdS晶锭（1）吸附住，晶锭的主参考面（1-3）朝下，主参考面（1-3）与卡具（4-1）水平面留有一定间隙，可以放下一个石墨条（6），在石墨条（6）上涂覆上一层厚度约为5mm的固体胶（5），将石墨条（6）放到该间隙中，使CdS晶锭（1）主参考面（1-3）与固体胶（5）接触，固定台子侧面的螺丝，使石墨条（6）固定，静置使固体胶（5）凝固，CdS晶锭（1）就粘贴在石墨条（6）上，这样切割后的晶片会靠胶的作用不会脱离石墨条（6），可以防止切完的晶片掉落，或者发生倾斜与其他晶片发生磕碰而出现碎片事故；调整电火花切割机（4）切割参数，对晶锭进行切割，脉冲宽度为15-20，脉间倍数为6-10，功放为4-6，进给速度为0.8-2.8 mm/min；第五步，切割完成后，依次采用煤油浸泡、热酒精对切割后的晶片进行冲洗，然后将卡具（4-1）放在温度为80℃的热水中，使胶软化，将晶片取下，进行下一步操作。