[发明专利]一种GaN侧墙绝缘栅鳍式高电子迁移率晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201611122085.6 | 申请日： | 2016-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN106684151A | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 张凯;孔月婵;孔岑;陈堂胜 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司32200 | 代理人： | 吴树山 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种GaN侧墙绝缘栅鳍式高电子迁移率晶体管及其制造方法，本发明的晶体管的结构自下而上依次包括衬底、缓冲层、势垒层、钝化层；所述势垒层上方的一端设有源极和另一端设有漏极；位于源极和漏极之间的势垒层的上方设有钝化层，所述钝化层中设有凹槽，其特征在于，还包括GaN基三维鳍片和栅极，所述GaN基三维鳍片的侧墙设有绝缘介质；所述栅极的一部分覆盖在凹槽内的势垒层上，形成肖特基接触；所述栅极的另一部分覆盖在GaN基三维鳍片的侧墙的绝缘介质上，形成绝缘栅结构。本发明的GaN基三维鳍式器件具有栅漏电小，输出电流高，栅控能力好、频率特性高的优点，可用于大功率微波功率器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 绝缘 栅鳍式高 电子 迁移率 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN侧墙绝缘栅鳍式高电子迁移率晶体管，该晶体管的结构自下而上依次包括衬底(1)、缓冲层(2)、势垒层(3)、钝化层(6)；所述势垒层(3)上方的一端设有源极(4)和另一端设有漏极(5)；位于源极(4)和漏极(5)之间的势垒层(3)的上方设有钝化层(6)，所述钝化层(6)中设有凹槽，其特征在于，还包括GaN基三维鳍片和栅极(8)，所述GaN基三维鳍片的侧墙设有绝缘介质(7)；所述栅极(8)的一部分覆盖在凹槽下的势垒层(3)上，形成肖特基接触；所述栅极(8)的另一部分覆盖在GaN基三维鳍片的侧墙的绝缘介质(7)上，形成绝缘栅结构。
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