[发明专利]一种改善铝膜缺陷的方法在审
| 申请号： | 201611104106.1 | 申请日： | 2016-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN106531637A | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | 龙俊舟;封铁柱;胡胜 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/322 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种改善铝膜缺陷的方法，通过利用物理溅射沉积机台在半导体衬底上形成阻挡层之后，将形成有阻挡层的半导体衬底从物理溅射沉积机台中取出并放置在室温条件下一段时间，使得阻挡层在室温下晶粒和应力趋于稳定，之后再进行于阻挡层上表面制备铝膜的工艺，从而减少了铝膜成膜时的不稳定因素，抑制铝晶粒在生长过程中的无序生长，有效减少了铝薄膜胡须状缺陷的产生，进而提高了硅片的良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
一种改善铝膜缺陷的方法，其特征在于，包括：步骤S1，提供一半导体衬底；步骤S2，将所述半导体衬底放入物理离子溅射机台中进行物理气相沉积工艺，以于所述半导体衬底上表面形成阻挡层；步骤S3，将所述半导体衬底从所述物理离子溅射机台中移出后，对所述半导体衬底进行预定时间的冷却工艺；步骤S4，于所述阻挡层之上形成所述铝膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉新芯集成电路制造有限公司，未经武汉新芯集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611104106.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
