[发明专利]一种具有分层次结构的石墨烯/硅多孔微球电极的制备方法有效

专利信息
申请号: 201611096982.4 申请日: 2016-12-02
公开(公告)号: CN106784661B 公开(公告)日: 2019-05-21
发明(设计)人: 刘晓旭;孙飞;闫凯;池红岩;朱波;王影;张晓兰 申请(专利权)人: 陕西科技大学
主分类号: H01M4/36 分类号: H01M4/36;H01M4/583;H01M4/62;H01M4/38;H01M10/0525
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人: 李红媛
地址: 710000*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 一种具有分层次结构的石墨烯/硅多孔微球电极制备方法,它涉及一种分级结构的三维复合材料制备方法。本发明的目的是要解决现有负极材料体积膨胀,导致电池性能衰竭和不能获得三维多孔结构的电极材料的问题。方法:一、制备氧化石墨烯;二、制备氧化石墨烯、聚苯乙烯微球、硅粉及聚酰亚胺的混合溶液;三、干燥;四、退火处理,得到具有分层次结构的石墨烯/硅多孔微球电极。本发明制备的具有分层次结构的石墨烯/硅多孔微球电极展现出良好的倍率稳定性,以其作为电池负极材料制备的电池在电流密度为3A/g倍率下,其容量仍可以大于370mAh/g。本发明可获得一种具有分层次结构的石墨烯/硅多孔微球电极制备方法。
搜索关键词: 一种 具有 层次 结构 石墨 多孔 电极 制备 方法
【主权项】:
1.一种具有分层次结构的石墨烯/硅多孔微球电极的制备方法,其特征在于该方法具体是按以下步骤完成的:一、制备氧化石墨烯:①、将天然石墨和高锰酸钾加入到质量分数为98%的硫酸中,再在冰浴和搅拌速度为300r/min~400r/min下搅拌1h~2h,得到混合物A;步骤一①中所述的天然石墨和高锰酸钾的质量比为1:5;步骤一①中所述的天然石墨的质量与质量分数为98%的硫酸的体积比为1g:60mL~100mL;②、将混合物A加热至35℃,再在温度为35℃下保温1h,再向混合物A中加入去离子水,再将加入去离子水的混合物升温至90℃~95℃,再在温度为90℃~95℃下保温30min~35min,得到混合物B;步骤一②中所述的混合物A与去离子水的体积比为1:1;③、将混合物B自然冷却至室温,再将质量分数为35%的H2O2溶液加入到混合物B中,室温下在搅拌速度为100r/min~300r/min下反应10min,得到氧化石墨烯水溶液;将氧化石墨烯水溶液在3000r/min~3500r/min的离心速度下进行离心分离,取离心后的上层清液;再将离心分离后得到的上层清液在8000r/min~8500r/min的离心速度下再次进行离心分离,取离心分离后的沉淀物质,再在温度为60℃~80℃下进行干燥1h~3h,得到氧化石墨烯;步骤一①中所述的天然石墨的质量与步骤一③中所述的质量分数为35%的H2O2溶液的体积比为1g:(5mL~6mL);二、制备氧化石墨烯、聚苯乙烯微球、硅粉及聚酰亚胺酸的混合溶液:①、将步骤一③得到的氧化石墨烯溶解到水中,得到氧化石墨烯溶液;步骤二①中所述的氧化石墨烯溶液的浓度为5g/L~15g/L;②、将聚苯乙烯微球溶解到水中,得到质量分数为8%~15%的聚苯乙烯微球溶液;③、向蒸馏水中加入硅粉和质量分数为50%的聚酰亚胺酸水溶液,再在搅拌速度为200r/min~500r/min下搅拌反应30min,得到硅粉溶液;步骤二③中所述的硅粉的质量与蒸馏水的体积比为(100g~300g):20mL;步骤二③中所述的质量分数为50%的聚酰亚胺酸水溶液与蒸馏水的体积比为(0.5~2):20;④、将硅粉溶液加入到氧化石墨烯溶液中,在搅拌速度为500r/min~1000r/min下搅拌反应1h~2h,再进行超声分散1h~2h,得到深色混合溶液;步骤二④中所述的硅粉溶液与氧化石墨烯溶液的体积比为(15~25):30;⑤、将质量分数为8%~15%的聚苯乙烯微球溶液加入到步骤二④得到的深色混合溶液中,在搅拌速度为500r/min~1000r/min下搅拌反应1h~2h,再进行超声分散1h~2h,得到氧化石墨烯、聚苯乙烯微球、硅粉及聚酰亚胺酸的混合溶液;步骤二⑤中所述的质量分数为8%~15%的聚苯乙烯微球溶液与深色混合溶液的体积比为50:(30~60);三、干燥:将步骤二⑤得到的氧化石墨烯、聚苯乙烯微球、硅粉及聚酰亚胺酸的混合溶液在搅拌下和温度为130℃~180℃下进行喷雾干燥,得到蓬松粉末;四、退火处理:将步骤三得到的蓬松粉末放入管式炉中,再在惰性气体保护下将管式炉以3℃/min~5℃/min的升温速率从室温升至180℃~240℃,保温50min~80min,再以3℃/min~5℃/min的升温速率从180℃~240℃升至750℃~850℃,保温120min~150min,最后以5℃/min~8℃/min的降温速率从750℃~850℃降至180℃~240℃,程序停止,自然降温至室温,退火处理结束,得到具有分层次结构的石墨烯/硅多孔微球电极。
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