[发明专利]电容交叉耦合与谐波抑制在审
| 申请号： | 201611093259.0 | 申请日： | 2016-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN106656058A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | C·布亚瓦勒;D·玛斯利亚;F·于安 | 申请（专利权）人： | 艾壳 |
| 主分类号： | H03F1/22 | 分类号： | H03F1/22;H03F3/195;H03F3/24 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 李辉,张昊 |
| 地址： | 法国路*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及电容交叉耦合与谐波抑制，其中的功率放大器包括第一级联结构，第一级联结构包括MOSFET和JFET以及电连接在JFET的源极与漏极之间的第一电容器。并联的两个这样的功率放大器形成差分功率放大器。在差分放大器中，第二电容器可以电连接在第二JFET的源极与漏极之间。另一个差分功率放大器包括电连接在第一MOSFET的栅极与第二MOSFET的源极之间的第一电容器，以及电连接在第二MOSFET的栅极与第一MOSFET的源极之间的第二电容器。这些差分功率放大器中的一些还包括电连接在JFET的源极与漏极之间的电容器。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 交叉 耦合 谐波 抑制 | ||
【主权项】：
一种功率放大器，包括：第一级联结构，包括：第一MOSFET，具有源极、漏极和栅极，以及第一JFET，具有源极、漏极和栅极，所述第一MOSFET的漏极耦合至所述第一JFET的源极；以及第一电容器，电连接在所述第一JFET的源极与所述第一JFET的漏极之间。
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