[发明专利]电容交叉耦合与谐波抑制

说明书

相关申请交叉引用

本申请涉及于2014年11月3日提交的名称为“包括MOSFET和双栅极JFET的电子电路(Electronic Circuits including a MOSFET and a Dual-Gate JFET)”、第14/531,754号的美国专利申请，其内容以引用的方式引入本申请。

技术领域

本发明总体上涉及RF电路，并且更具体地涉及RF放大器。

背景技术

图1示出了现有技术的RF功率放大器电路100。电路100包括：以级联配置布置以使MOSFET 110的漏极耦合至JFET 120的源极的MOSFET 110和JFET 120。MOSFET 110的源极耦合到地，JFET 120的栅极同样耦合至地。在MOSFET 110的栅极处接收RF信号，并且在JFET 120的漏极处产生输出。以级联配置布置的单对MOSFET110和JFET 120形成单端放大器。如图所示，当供应有差分信号时，并联的两个这样的级联结构对形成差分放大器。

发明内容

本发明的示例性单端功率放大器电路包括第一级联结构，该第一级联结构包括第一MOSFET和第一JFET。第一MOSFET具有源极、漏极和栅极，并且第一JFET也包括源极、漏极和栅极。在级联结构布置中，第一MOSFET的漏极耦合至第一JFET的源极。该示例性功率放大器进一步包括：电连接在第一JFET的源极与第一JFET的漏极之间的第一电容器。在各种实施例中，第一MOSFET的栅极耦合至输入信号源，并且第一JFET的栅极耦合至地。

并联的两个单端功率放大器形成差分功率放大器，差分功率放大器另外包括第二级联结构，该第二级联结构包括：具有源极、漏极和栅极的第二MOSFET以及具有源极、漏极和栅极的第二JFET，其中第二MOSFET的漏极耦合到第二JFET的源极。在差分放大器中，第二电容器电连接在第二JFET的源极与第二JFET的漏极之间。在这些实施例的一些中，第一MOSFET的栅极和第二MOSFET的栅极都耦合至输入信号源，并且第一JFET的栅极和第二JFET的栅极都耦合至地。

本发明的另一示例性功率放大器电路是差分功率放大器，并且包括：包含第一MOSFET和第一JFET的第一级联结构以及包含第二MOSFET和第二JFET的第二级联结构。该示例性功率放大器进一步包括：电连接在第一MOSFET的栅极与第二MOSFET的源极之间的第一电容器、以及电连接在第二MOSFET的栅极与第一MOSFET的源极之间的第二电容器。该放大器的实施例进一步包括：电连接在地与第一MOSFET的源极之间的第一电感器、以及电连接在地与第二MOSFET的源极之间的第二电感器。在这些实施例的一些实施例中，第一MOSFET的栅极和第二MOSFET的栅极都可以耦合至输入信号源，并且第一JFET的栅极和第二JFET的栅极都可以耦合至地。

在进一步的实施例中，差分功率放大器进一步包括：电连接在第一JFET的源极与第一JFET的漏极之间的第三电容器。这些实施例中的一些进一步包括：电连接在第二JFET的源极与第二JFET的漏极之间的第四电容器。

附图说明

图1是根据现有技术的RF放大器电路的示意性示图。

图2是根据本发明的示例性实施例的RF放大器电路的示意性示图。

图3是示出图2的实施例与现有技术相比的改进的曲线图。

图4是根据本发明的另一示例性实施例的RF放大器电路的示意性示图。

具体实施方式

本发明描述提供更大线性的RF放大器电路以及本文所述的其它益处。单端和差分放大器实施例都可以包括与JFET并联地放置的电容器，以抑制和衰减以其它方式浪费功率的各种谐波。在其它实施例中，差分放大器包括交叉耦合差分放大器电路(诸如具有图1中所示的两半的差分放大器)的两半的两个电容器。在这些实施例中，一个电容器交叉耦合在每个一半上的MOSFET的栅极与在另一半上的MOSFET的源极之间。