[发明专利]一种全MOS管电荷泵电路结构

摘要

本发明提供了一种全MOS管电荷泵电路结构，包括：第一NMOS管的栅极和漏极均与电源的正极相连，第二NMOS管的栅极和漏极均与电源正极相连；第一NMOS管的源极、第四NMOS管的栅极、第一PMOS管的源极、第二PMOS管的栅极、第三PMOS管的栅极均相互连接于第一个节点；第二NMOS管的源极、第三NMOS管的栅极、第二PMOS管的漏极、第一PMOS管的栅极、第四PMOS管的栅极均相互连接于第二个节点；第一PMOS管的漏极与第二PMOS管的源极相连且与第五PMOS的栅极相连接于电荷泵输出端；第三NMOS管的漏极，第四NMOS管的漏极均与电源的正极相连；第五PMOS管的源极和漏极均与电源的正极相连。

主权项

1.一种全MOS管电荷泵电路结构，其特征在于，包括：电源、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管和第五PMOS管；其中，所述第一NMOS管的栅极和漏极均与电源的正极相连，所述第二NMOS管的栅极和漏极均与电源正极相连；所述第一NMOS管的源极、所述第四NMOS管的栅极、所述第一PMOS管的源极、所述第二PMOS管的栅极、所述第三PMOS管的栅极、所述第三NMOS管的源极均相互连接于第一个节点；所述第二NMOS管的源极、所述第三NMOS管的栅极、所述第二PMOS管的漏极、所述第一PMOS管的栅极、所述第四PMOS管的栅极、所述第四NMOS管的源极均相互连接于第二个节点；所述第一PMOS管的漏极与所述第二PMOS管的源极相连并且与第五PMOS的栅极相连接于电荷泵输出端；所述第三NMOS管的漏极，所述第四NMOS管的漏极均与电源的正极相连；所述第五PMOS管的源极和漏极均与电源的正极相连，所述第三PMOS管的源极和第三PMOS管的漏极共同相连于第三个节点，所述第四PMOS管的源极和第四PMOS管的漏极相连于第四个节点。