[发明专利]一种全MOS管电荷泵电路结构

说明书

本发明提供了一种全MOS管电荷泵电路结构，包括：第一NMOS管的栅极和漏极均与电源的正极相连，第二NMOS管的栅极和漏极均与电源正极相连；第一NMOS管的源极、第四NMOS管的栅极、第一PMOS管的源极、第二PMOS管的栅极、第三PMOS管的栅极均相互连接于第一个节点；第二NMOS管的源极、第三NMOS管的栅极、第二PMOS管的漏极、第一PMOS管的栅极、第四PMOS管的栅极均相互连接于第二个节点；第一PMOS管的漏极与第二PMOS管的源极相连且与第五PMOS的栅极相连接于电荷泵输出端；第三NMOS管的漏极，第四NMOS管的漏极均与电源的正极相连；第五PMOS管的源极和漏极均与电源的正极相连。

技术领域

本发明涉及图像传感器技术领域，具体涉及一种全MOS管电荷泵电路结构。

背景技术

在现代集成电路技术中，电荷泵是一种结构简单获得高低压的结构，并且其纹波较小，不需要电感，在CMOS工艺中得到了广泛应用。

传统的Dickson型电荷泵存在电荷泄露的问题，并且结构复杂，面积较大。一直以来，结构简单，性能优良，可靠性高的电荷泵是业界所需要的。

发明内容

为了克服以上问题，本发明旨在提供一种全MOS管电荷泵电路结构。

为了达到上述目的，本发明的一种全MOS管电荷泵电路结构，包括：电源、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管和第五PMOS管；其中，

所述第一NMOS管的栅极和漏极均与电源的正极相连，所述第二NMOS管的栅极和漏极均与电源正极相连；所述第一NMOS管的源极、所述第四NMOS管的栅极、所述第一PMOS管的源极、所述第二PMOS管的栅极、所述第三PMOS管的栅极均相互连接于第一个节点；所述第二NMOS管的源极、所述第三NMOS管的栅极、所述第二PMOS管的漏极、所述第一PMOS管的栅极、所述第四PMOS管的栅极均相互连接与第二个节点；所述第一PMOS管的漏极与所述第二PMOS管的源极相连并且与第五PMOS的栅极相连接于电荷泵输出端；所述第三NMOS管的漏极，所述第四NMOS管的漏极均与电源的正极相连；所述第五PMOS管的源极和漏极均与电源的正极相连。

优选地，第三PMOS管的衬底、第三PMOS管的源极和第三PMOS管的漏极共同相连于第三个节点，第四PMOS管的衬底、第四PMOS管的源极和第四PMOS管的漏极相连于第四个节点。

优选地，所述第三个节点和所述第四个节点分别连接两个非相互交叠的时钟。

优选地，所述第五PMOS管的衬底与电源的正极相连。

优选地，所述第一PMOS管的衬底、所述第二PMOS管的衬底、所述第三PMOS管的衬底、所述第四PMOS管的衬底和所述第五PMOS管的衬底均为硅衬底。

优选地，所述第一NMOS管的衬底、所述第二NMOS管的衬底、所述第三NMOS管的衬底、所述第四NMOS管的衬底均为硅衬底。

本发明的全MOS管电荷泵电路结构简单，易于实现，而且可靠性高，适用于工业生产，易于推广应用。

附图说明

图1为本发明的一个较佳实施例的全MOS管电荷泵电路结构的示意图

具体实施方式

为使本发明的内容更加清楚易懂，以下结合说明书附图，对本发明的内容作进一步说明。当然本发明并不局限于该具体实施例，本领域内的技术人员所熟知的一般替换也涵盖在本发明的保护范围内。

以下结合附图1和具体实施例对本发明作进一步详细说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式、使用非精准的比例，且仅用以方便、清晰地达到辅助说明本实施例的目的。