[发明专利]晶片的加工方法在审
申请号: | 201611079386.5 | 申请日: | 2016-11-30 |
公开(公告)号: | CN107039341A | 公开(公告)日: | 2017-08-11 |
发明(设计)人: | 森数洋司 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/304 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 李辉,于靖帅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明的课题在于提供晶片的加工方法,其用于使器件更薄且小型化。一种晶片的加工方法,包含如下的工序一体化工序,使支承基板与晶片的正面相对并借助结合材料而粘贴成一体;背面磨削工序,对晶片的背面进行磨削而使晶片变薄;切断工序,从晶片的背面沿着分割预定线将晶片按照每个器件进行切断;保护部件配设工序,在晶片的背面上配设保护部件;结合材料破坏工序,将对于支承基板具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于结合材料而进行照射从而将结合材料破坏;以及支承基板剥离工序,将支承基板从器件剥离而分离成每个器件。 | ||
搜索关键词: | 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】:
一种晶片的加工方法,将在正面的由多条分割预定线划分的区域内分别具有器件的晶片沿着分割预定线分割成各个器件,其中,该晶片的加工方法具有如下的工序:一体化工序,使支承基板与晶片的正面相对并借助结合材料而粘贴成一体;背面磨削工序,在实施了该一体化工序之后,对该晶片的背面进行磨削而使晶片变薄;切断工序,从磨削后的该晶片的背面沿着分割预定线按照每个器件进行切断;保护部件配设工序,在沿着分割预定线被切断的该晶片的背面上配设保护部件;结合材料破坏工序,在实施了保护部件配设工序之后,将对于该支承基板具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于该结合材料而进行照射从而将该结合材料破坏;以及支承基板剥离工序,在实施了该结合材料破坏工序之后,将该支承基板从该器件剥离而分离成每个器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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