[发明专利]半导体器件的形成方法有效
| 申请号： | 201611075479.0 | 申请日： | 2016-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN106449761B | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 雷海波;关天鹏;田明;桑宁波 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件的形成方法，所述半导体器件中，其有源区的表面为弧形表面，进而可在不改变有源区横向尺寸的基础上，提高所述半导体器件的沟道宽长比，改善器件的驱动电流。并且，还可在保证器件的驱动电流的基础上，进一步缩减有源区的尺寸，提高器件的集成度。此外，在本发明提供的半导体器件的形成方法中，通过结合传统的工艺制程，形成具有弧形表面的有源区，其工艺更为简单，在实际制作过程中，可维持更高的产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底中具有一有源区，在所述有源区的半导体衬底上形成有一消耗层；在所述有源区的外围形成有一隔离沟槽；执行回刻工艺，去除部分所述消耗层，暴露出部分所述有源区的半导体衬底表面；执行热氧化工艺，在暴露出的所述有源区的半导体衬底表面以及至少在靠近所述有源区的隔离沟槽的侧壁上形成一氧化层；执行刻蚀工艺，去除所述氧化层；重复执行所述回刻工艺、热氧化工艺和刻蚀工艺，直至所述消耗层完全被去除，以在所述有源区的半导体衬底上形成一弧形表面。
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