[发明专利]一种锗基NMOS器件结构在审
| 申请号： | 201611072384.3 | 申请日： | 2016-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN106601816A | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 刘丽蓉;王勇;丁超 | 申请（专利权）人： | 东莞市广信知识产权服务有限公司;东莞华南设计创新院 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/417;H01L29/06 |
| 代理公司： | 广东莞信律师事务所44332 | 代理人： | 曾秋梅 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市松山湖高新*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公布了一种锗基NMOS器件结构，其结构如下一p型轻掺杂的锗衬底上形成的鳍状结构；一氧化硅隔离层；一锗硅源漏欧姆接触层；一锗鳍状结构上生长的高K介质层；一在高k介质层上形成的栅金属层；一在栅金属层上形成的栅金属电极；一在源漏欧姆接触层上形成的源漏金属电极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nmos 器件 结构 | ||
【主权项】：
一种锗基NMOS器件结构，其结构包括一掺杂浓度为1×1018cm‑3的P型锗衬底和衬底上形成的15纳米宽的鳍状结构(101)；一200纳米厚度的氧化硅隔离层(102)；一200纳米厚度的硅锗源漏欧姆接触层(103)；一锗鳍状结构上形成的3纳米厚度的氧化铝介质层(104)；一在氧化铝介质层上形成的栅金属电极层(105)；一在硅锗源漏欧姆接触层上形成的源漏金属电极(106)。
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