[发明专利]基于Bi基四元卤化物单晶的半导体辐射探测器及制备方法有效
| 申请号： | 201611071705.8 | 申请日： | 2016-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN106711272B | 公开（公告）日： | 2018-05-11 |
| 发明（设计）人： | 唐江;潘伟程;巫皓迪;罗家俊;牛广达;周英 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G01T1/24 | 分类号： | G01T1/24 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 张建伟 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于Bi基四元卤化物单晶的半导体辐射探测器及其制备方法，涉及半导体材料制备的射线成像探测器技术领域。所述的半导体辐射探测器结构包括以Bi基四元卤化物单晶作为射线吸光层，电子选择性接触选择层，空穴选择性接触层，分别贴合在所述吸光层的两面，两个电极分别与两个选择性电荷接触层接触，作为器件的正极和负极。本发明的半导体辐射探测器具备高灵敏度，环境友好，稳定等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 bi 基四元 卤化物 半导体 辐射 探测器 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于Bi基四元卤化物单晶的半导体辐射探测器，其特征在于，包括吸光层和两个电极；其中：所述吸光层是Bi基四元卤化物单晶晶体制成，用于吸收高能射线，产生电子-空穴对，其中，所述Bi基四元卤化物为Cs2 AgBiX6 ,其中X为Cl或Br；所述两个电极，分别与吸光层接触，作为所述半导体辐射探测器的正极和负极；两个电极的工作偏压0.1V-10V；所述高能射线包括X射线和Gama射线,能量大于20Kev。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学，未经华中科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611071705.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种气凝胶聚氯乙烯材料及其制备方法
- 下一篇：车辆的移动厢体的动力传动装置
