[发明专利]一种低刻蚀光阻残留物清洗液在审
| 申请号： | 201611070803.X | 申请日： | 2016-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN108121176A | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 郑玢;刘兵;孙广胜;张维鹏 | 申请（专利权）人： | 安集微电子科技（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42 |
| 代理公司： | 北京大成律师事务所 11352 | 代理人： | 李佳铭 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新区华东路*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低刻蚀光阻残留物清洗液，其包含有(a)醇胺(b)羟胺(c)水(d)螯合剂(e)多元胺类化合物(f)表面活性剂。本发明不含氟化物，且能够快速的去除经过硬烤、干法刻蚀、灰化和等离子注入引起复杂化学变化后交联硬化的光刻胶，并且在能够去除金属线(metal)、通孔(via)和金属垫(Pad)晶圆上的光阻残留物的同时对于基材基本没有攻击，如金属铝，金属钨，非金属二氧化硅等，特别是对于金属钨和晶背有着良好的保护。本发明的清洗液在半导体晶片清洗等领域具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 光阻残留物 清洗液 金属钨 刻蚀 去除 半导体晶片清洗 多元胺类化合物 表面活性剂 二氧化硅 干法刻蚀 化学变化 等离子 氟化物 光刻胶 后交联 金属垫 金属铝 金属线 螯合剂 醇胺 灰化 基材 晶背 晶圆 通孔 硬烤 羟胺 硬化 攻击 应用 | ||
【主权项】：
一种低刻蚀光阻残留物清洗液，其特征在于，包含i.醇胺，质量百分比含量为10％‑70％；ii.羟胺，质量百分比含量为5％‑30％；iii.水，质量百分比含量为小于包括等于35％；iv.螯合剂，质量百分比含量为1‑20％；v.多元胺类化合物，质量百分比含量为1‑20％；vi.表面活性剂，质量百分比含量为0‑3％。
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