[发明专利]一种二维介孔(GaN)1-x(ZnO)x固溶体纳米材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201611069088.8 | 申请日： | 2016-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN108117052B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 刘宝丹;杨文进;李晶;张兴来;姜辛 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C01B21/06 | 分类号： | C01B21/06;C01G9/02;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： |
本发明涉及半导体纳米材料领域，具体涉及一种二维介孔(GaN) |
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| 搜索关键词： | 一种 二维 gan zno 固溶体 纳米 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种二维介孔(GaN)1‑x(ZnO)x固溶体纳米材料，其特征在于：(GaN)1‑x(ZnO)x固溶体纳米材料为多孔的二维纳米片组装而成，形貌呈组装均一的花瓣状结晶良好的单晶结构，X＝0.15～0.45；二维纳米片呈规则的六角形，二维纳米片的厚度为5～80纳米，二维纳米片的直径为0.5～10微米，二维纳米片的孔径为5～50纳米，二维纳米片的孔隙率为15～85％。
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