[发明专利]一种半导体器件及制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201611067307.9 | 申请日： | 2016-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN108117043B | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 黄风建;毛益平;刘杰;吴悠 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | B81C3/00 | 分类号： | B81C3/00;B81B7/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及制备方法、电子装置。所述方法包括提供第一晶圆，在所述第一晶圆中形成有零层标记；在所述第一晶圆上形成钝化层，以覆盖所述零层标记；图案化所述钝化层，以在所述零层标记上方的所述钝化层中形成对准标记；提供第二晶圆并与所述第一晶圆相接合；图案化所述第二晶圆，以形成开口并露出所述对准标记；在所述开口的表面以及所述对准标记的表面形成功能材料层。本发明中所述对准标记被第二晶圆暴露，并且在形成功能材料层(例如接触孔材料层)之后仍然能暴露出所述对准标记，不会被覆盖，因此可以避免无法对准的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供第一晶圆，在所述第一晶圆中形成有零层标记；在所述第一晶圆上形成钝化层，以覆盖所述零层标记；图案化所述钝化层，以在所述零层标记上方的所述钝化层中形成对准标记；提供第二晶圆并与所述第一晶圆相接合；图案化所述第二晶圆，以形成开口并露出所述对准标记；在所述开口的表面以及所述对准标记的表面形成功能材料层。
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