[发明专利]一种应用于PLL的高性能VCO电路有效
申请号: | 201611061473.8 | 申请日: | 2016-11-25 |
公开(公告)号: | CN106506001B | 公开(公告)日: | 2019-05-03 |
发明(设计)人: | 陈璐;张宁;张轩;王志利 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H03L7/099 | 分类号: | H03L7/099 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 智云 |
地址: | 201203 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种应用于PLL的高性能VCO电路,包括:多个首尾反相相连的延时单元,用于产生增益和延时,多个延时单元级联后产生增益不小于1、延时大于180度的信号并反馈至第一级延时单元的输入端;缓冲器,用于隔离后续电路对延时单元的影响,通过本发明,实现了一种既能满足宽频率范围又能得到较小KVCO值,且面积小的高性能VCO电路以应用于PLL。 | ||
搜索关键词: | 一种 应用于 pll 性能 vco 电路 | ||
【主权项】:
1.一种应用于PLL的高性能VCO电路,包括:多个首尾反相相连的延时单元,用于产生增益和延时,多个延时单元级联后产生增益不小于1、延时大于180度的信号并反馈至第一级延时单元的输入端;缓冲器,用于隔离后续电路对延时单元的影响;该延时单元采用全差分结构;该延时单元包括差分放大电路、锁存电路以及可控负载,该差分放大电路包括第一NMOS管与第二NMOS管,该锁存电路包括第二PMOS管、第三PMOS管,该可控负载包括第一PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管;该第一NMOS管、第二NMOS管源极接地,栅极分别为延时单元的输入正端和输入负端,该第一NMOS管的漏极与该第二PMOS管、第四PMOS管的漏极以及第三PMOS管的栅极相连组成延时单元的输出负端,该第二NMOS管的漏极与该第三PMOS管、第五PMOS管的漏极以及该第二PMOS管的栅极相连组成延时单元的输出正端,该第二PMOS管、第三PMOS管的源极与该第一PMOS管的漏极相连,该第四PMOS管、第五PMOS管的栅极共同连接至高频控制电压VC1,该第一PMOS管的栅极连接至低频控制电压VC0,该第一PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管的源极连接至电源电压。
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