[发明专利]一种高通量形成拟胚体的微阵列芯片的制备方法与应用在审
| 申请号： | 201611057485.3 | 申请日： | 2016-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN108121161A | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 秦建华;王丽;尹方超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院大连化学物理研究所 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;C12M3/00 |
| 代理公司： | 沈阳晨创科技专利代理有限责任公司 21001 | 代理人： | 郑虹 |
| 地址： | 116023 *** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高通量形成拟胚体的微阵列芯片的制备方法与应用，该方法利用软蚀刻技术制备了具有微米尺度的阵列微柱结构的PDMS聚合物芯片。通过优化微柱结构的高度和间距来控制干细胞来源的拟胚体的形状、大小、均一性。该方法可以高通量形成拟胚体，并可以原位动态观察拟胚体增殖、发育的全过程。该芯片具有可以有效去除凋亡细胞和细胞碎片，保证拟胚体之间的营养供给和信号传递的特点，克服了传统拟胚体形成和悬浮培养分步实现的缺点，具有简化拟胚体操作步骤，高通量、原位形成与分化的优势，无需特殊的仪器和试剂，可与其他技术集成化。 | ||
| 搜索关键词： | 拟胚体 高通量 制备 微阵列芯片 微柱 芯片 原位动态观察 蚀刻 干细胞来源 技术集成化 凋亡细胞 微米尺度 细胞碎片 信号传递 悬浮培养 营养供给 原位形成 均一性 去除 增殖 应用 体操 发育 分化 优化 保证 | ||
【主权项】：
一种高通量形成拟胚体的微阵列芯片的制备方法，其特征在于具体步骤如下：(1)芯片的制备：利用软蚀刻技术制备SU‑8模板，含有高通量圆柱形的凹陷结构，底部为凹陷的曲面，对模板进行低黏附修饰；(2)制作高通量阵列微柱结构的PDMS聚合物芯片：将PDMS聚合物与引发剂按照体积比10～14：1混合，浇注到SU‑8模板上，真空除泡，80℃加热固化1～2h，常温剥离SU‑8模板，得到高通量的固定间距的阵列微柱结构PDMS芯片；(3)在PDMS芯片周边用PDMS模块形成围墙样结构的局限的开放培养池，得到高通量形成拟胚体的微阵列芯片。
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