[发明专利]超结器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201611055539.2 | 申请日： | 2016-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN108110039B | 公开（公告）日： | 2020-04-24 |
| 发明（设计）人： | 肖胜安;曾大杰 | 申请（专利权）人： | 深圳尚阳通科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山区高新*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超结器件，各超结单元的所述N型柱和所述P型柱中的至少一个柱结构具有掺杂浓度的纵向三分段结构，纵向三分段结构为在纵向上包括底部段、中间段和顶部段，中间段的掺杂浓度低于底部段的掺杂浓度，中间段的掺杂浓度低于顶部段的掺杂浓度；具有纵向三分段结构的柱结构在耗尽后，中间段和底部段以及顶部段的杂质离子形成位于中间段中电场阱，电场阱提高残余少子被抽取的难度，从而增加器件的反向恢复的软度因子。本发明还公开了一种超结器件的制造方法。本发明能改善器件的体二极管的反向恢复特性和器件的输出电容特性，能提高器件的击穿电压，能调整器件的输出电容的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种超结器件，其特征在于：电荷流动区包括由多个交替排列的N型柱和P型柱组成的超结结构；每一所述N型柱和其邻近的所述P型柱组成一个超结单元；各所述超结单元的所述N型柱和所述P型柱中的至少一个柱结构具有掺杂浓度的纵向三分段结构，所述纵向三分段结构为在纵向上包括底部段、中间段和顶部段，所述中间段的掺杂浓度低于所述底部段的掺杂浓度，所述中间段的掺杂浓度低于所述顶部段的掺杂浓度；具有所述纵向三分段结构的所述柱结构在耗尽后，所述中间段和所述底部段以及所述顶部段的杂质离子形成位于所述中间段中电场阱，所述电场阱提高残余少子被抽取的难度，从而增加器件的反向恢复的软度因子。
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