[发明专利]一种耐高压的结型场效应管在审
| 申请号： | 201611051954.0 | 申请日： | 2016-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN106549037A | 公开（公告）日： | 2017-03-29 |
| 发明（设计）人： | 李风浪;李舒歆 | 申请（专利权）人： | 东莞市联洲知识产权运营管理有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/808 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司11246 | 代理人： | 连平 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种结型场效应管，包括P型衬底；N型轻掺杂区；P型掺杂区；P型重掺杂区；N型重掺杂的漏区和源区；所述漏区与所述P型掺杂区之间的硅表面形成的第一绝缘隔离层；所述源区与所述P型掺杂区之间的硅表面形成的第二绝缘隔离层，所述第一绝缘隔离层形成在带有沟槽的硅表面上，所述第一绝缘隔离层上面部分覆盖掺杂多晶硅层，所述多晶硅层通过通孔引出与栅极电性连接。本发明的结型场效应管耐压性能得到有效提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 场效应 | ||
【主权项】：
一种耐高压的结型场效应管，包括：P型衬底，所述P型衬底作为背栅；在所述P型衬底的上表层中形成N型轻掺杂区；在所述N型轻掺杂区的上表层中形成的P型掺杂区，所述P型掺杂区作为正栅；在所述P型掺杂区的上表层中形成的P型重掺杂区；在所述N型轻掺杂区的两端形成的N型重掺杂的漏区和源区，正栅靠近所述源区；所述漏区与所述P型掺杂区之间的硅表面形成的第一绝缘隔离层；所述源区与所述P型掺杂区之间的硅表面形成的第二绝缘隔离层，其特征在于：所述漏区与所述P型掺杂区之间的硅表面形成n个沟槽，n为正整数，所述第一绝缘隔离层形成在带有沟槽的硅表面上，所述第一绝缘隔离层上面部分覆盖掺杂多晶硅层，结型场效应管与所述P型衬底相对一侧的表面覆盖绝缘介质层，栅极通过通孔由P型重掺杂区引出，源极以及漏极分别通过通孔由源区以及漏区引出，所述多晶硅层通过通孔引出与栅极电性连接。
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