[发明专利]一种InP量子点的制备方法及InP量子点有效
| 申请号： | 201611047783.4 | 申请日： | 2016-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN106701076B | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | 张卫;张超;王允军 | 申请（专利权）人： | 苏州星烁纳米科技有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/70 | 分类号： | C09K11/70;C09K11/02;C09K11/88 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种InP量子点的制备方法，包括以下步骤：a)将铟前驱体加入到含有第一配体的非配位溶剂中，形成均匀的铟‑第一配体溶液；b)将所述铟‑第一配体溶液升温至180‑260℃，加入PH3，得到具有较小粒径InP纳米晶核的混合体系；c)向所述混合体系中依次交替加入铟‑第二配体溶液和PH3，得到粒径较大的InP纳米晶核；d)加入合成量子点的壳层所需的前体物质，得到具有壳层包覆的InP量子点。该方法以PH3为磷源，通过交替加入原料的方法，量子点的生长变得更加均匀，并更容易制备出粒径较大的InP量子点。 | ||
| 搜索关键词： | 量子点 第一配体 制备 混合体系 纳米晶核 壳层 粒径 非配位溶剂 第二配体 前体物质 铟前驱体 包覆的 小粒径 磷源 合成 生长 | ||
【主权项】：
1.一种InP量子点的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：a)将铟前驱体加入到含有第一配体的非配位溶剂中，形成均匀的铟‑第一配体溶液；b)将所述铟‑第一配体溶液升温至180‑260℃，加入PH3，得到具有较小粒径InP纳米晶核的混合体系；c)向所述混合体系中依次交替加入铟‑第二配体溶液和PH3，得到粒径较大的InP纳米晶核，其中，每次加入的铟‑第二配体溶液中的铟前驱体的物质的量，与溶液中已经含有的铟前驱体的物质的量的比在0.01:1‑0.5:1的范围内；d)加入合成量子点的壳层所需的前体物质，得到具有壳层包覆的InP量子点。
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