[发明专利]TCO/p/i/TCO玻璃结构的透明硅薄膜太阳能电池及其制备有效
| 申请号： | 201611042334.0 | 申请日： | 2016-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN108110070B | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 刘生忠;杜敏永;王辉;曹越先;张豆豆;秦炜 | 申请（专利权）人： | 中国科学院大连化学物理研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0445 | 分类号： | H01L31/0445;H01L31/06;H01L31/18 |
| 代理公司： | 21002 沈阳科苑专利商标代理有限公司 | 代理人： | 马驰 |
| 地址： | 116023 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型结构的透明硅基薄膜太阳能电池结构及其制备方法,属于太阳能电池技术领域。技术方案是：①在TCO玻璃上沉积本征硅薄膜层；②在本征硅薄膜层上沉积p型硅薄膜掺杂层；③在p型硅薄膜掺杂层上沉积TCO薄膜导电层，通过p型硅薄膜掺杂层与TCO玻璃形成内建电场，从而形成一种新型结构的透明薄膜太阳能电池。本发明具备以下优点：1)本发明的透明硅基薄膜太阳能电池没有n型掺杂层，节约了电池制备所用的原材料，降低了生产成本；2)本发明的透明硅基薄膜太阳能电池没有制备n型掺杂层这一工艺环节，减少了生产时间，提高了生产产能；3)本发明的透明硅基薄膜太阳能电池没有n型掺杂层，提高了电池的透光度。 | ||
| 搜索关键词： | 透明硅 基薄膜 太阳能电池 掺杂层 沉积 制备 本征硅薄膜层 透明薄膜太阳能电池 薄膜太阳能电池 太阳能电池技术 太阳能电池结构 玻璃结构 电池制备 工艺环节 内建电场 导电层 透光度 产能 生产成本 电池 节约 生产 | ||
【主权项】：
1.一种TCO/p/i/TCO玻璃结构的透明硅基薄膜太阳能电池，其特征在于：/nTCO/p/i/TCO玻璃结构的透明硅基薄膜太阳能电池的结构从下至上包括依次层叠的：TCO玻璃（1）、本征硅薄膜层（2）、p型硅薄膜掺杂层（3）、TCO薄膜导电层（4）；/nTCO玻璃（1）取代传统pin型硅薄膜太阳能电池中的n层，TCO玻璃（1）与p层及i层构成太阳能电池。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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