[发明专利]TCO/p/i/TCO玻璃结构的透明硅薄膜太阳能电池及其制备有效
| 申请号： | 201611042334.0 | 申请日： | 2016-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN108110070B | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 刘生忠;杜敏永;王辉;曹越先;张豆豆;秦炜 | 申请（专利权）人： | 中国科学院大连化学物理研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0445 | 分类号： | H01L31/0445;H01L31/06;H01L31/18 |
| 代理公司： | 21002 沈阳科苑专利商标代理有限公司 | 代理人： | 马驰 |
| 地址： | 116023 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 透明硅 基薄膜 太阳能电池 掺杂层 沉积 制备 本征硅薄膜层 透明薄膜太阳能电池 薄膜太阳能电池 太阳能电池技术 太阳能电池结构 玻璃结构 电池制备 工艺环节 内建电场 导电层 透光度 产能 生产成本 电池 节约 生产 | ||
1.一种TCO/p/i/TCO玻璃结构的透明硅基薄膜太阳能电池，其特征在于：
TCO/p/i/TCO玻璃结构的透明硅基薄膜太阳能电池的结构从下至上包括依次层叠的：TCO玻璃（1）、本征硅薄膜层（2）、p型硅薄膜掺杂层（3）、TCO薄膜导电层（4）；
TCO玻璃（1）取代传统pin型硅薄膜太阳能电池中的n层，TCO玻璃（1）与p层及i层构成太阳能电池。
2.按照权利要求1所述的电池，其特征在于，制备的硅基薄膜太阳能电池具有半透明的特性。
3.按照权利要求1所述的电池，其特征在于：TCO玻璃（1）中的TCO包括但不仅限于FTO、AZO、BZO、ITO、GZO或YZO。
4.按照权利要求1所述的电池，其特征在于：TCO薄膜导电层（4）中的TCO包括但不仅限于FTO、AZO、BZO、ITO、GZO或YZO。
5.按照权利要求1所述的电池，其特征在于：本征硅薄膜层（2）采用的材料为本征的非晶硅薄膜。
6.按照权利要求1所述的电池，其特征在于：p型硅薄膜掺杂层（3）采用的材料为掺硼的非晶硅薄膜。
7.一种权利要求1－4任一所述的TCO/p/i/TCO玻璃结构的透明硅基薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于：TCO玻璃（1）和TCO薄膜导电层（4）中的TCO制备方法，包括但不限于溅射、化学气相沉积或其他方法。
8.按照权利要求7所述的制备方法，其特征在于：本征硅薄膜层（2）和p型硅薄膜掺杂层（3）的制备方法，包括但不限于化学气相沉积或其他方法。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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