[发明专利]一种减小晶圆键合工艺波动性的方法及系统在审
| 申请号： | 201611021184.5 | 申请日： | 2016-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN106653584A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 魏敏;李晴云;廖璞;王家文 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司11212 | 代理人： | 杨立,陈振玉 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种减小晶圆键合工艺波动性的方法及系统，其方法包括以下步骤，S1，构建两片需要键合的晶圆的COA数据，其中所述COA数据包含身份数据和实际厚度数据；S2，晶圆键合机台读取两片所述晶圆的身份数据，并根据两片所述晶圆的身份数据对应获取两片所述晶圆的实际厚度数据；S3，所述晶圆键合机台根据两片所述晶圆的实际厚度数据调整两片所述晶圆之间的距离，使得两片所述晶圆之间的距离与预设值吻合。本发明降低因为晶圆厚度差异引起的键合工艺不稳定性的风险；同时降低了硅片厚度规格要求从而降低采购成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减小 晶圆键合 工艺 波动性 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种减小晶圆键合工艺波动性的方法，其特征在于：包括以下步骤，S1，构建两片需要键合的晶圆的COA数据，其中所述COA数据包含身份数据和实际厚度数据；S2，晶圆键合机台读取两片所述晶圆的身份数据，并根据两片所述晶圆的身份数据对应获取两片所述晶圆的实际厚度数据；S3，所述晶圆键合机台根据两片所述晶圆的实际厚度数据调整两片所述晶圆之间的距离，使得两片所述晶圆之间的距离与预设值吻合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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