[发明专利]一种简单廉价制备聚（3,4‑亚乙二氧基噻吩）‑聚（苯乙烯磺酸）纳米线的方法在审
| 申请号： | 201611014785.3 | 申请日： | 2016-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN106782874A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 石刚;车友新;李赢;王大伟;倪才华;桑欣欣 | 申请（专利权）人： | 江南大学 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;B81C1/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214122 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种用微米级模板构筑聚(3,4‑亚乙二氧基噻吩)‑聚(苯乙烯磺酸)(PEDOTPSS)纳米线的方法，具体步骤为首先在基底上组装导电PEDOTPSS薄膜，通过生长时间控制PEDOTPSS的膜厚；并在PEDOTPSS薄膜表面旋涂压印胶，通过旋涂控制压印胶的厚度；然后，采用纳米压印技术的边缘效应，利用微米级模板在压印胶表面诱导纳米结构；最后，利用各向异性等离子刻蚀技术把这种纳米结构转移到PEDOTPSS薄膜上，从而实现了用微米级模板构筑高分辨率PEDOTPSS纳米线。利用本方法制作的PEDOTPSS纳米线，具有成本低廉、工艺简单、耗时短、分辨率高的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 简单 廉价 制备 二氧 噻吩 苯乙烯 纳米 方法 | ||
【主权项】：
一种简单廉价制备聚(3,4‑亚乙二氧基噻吩)‑聚(苯乙烯磺酸)纳米线的方法，其特征在于具体步骤如下：(1)在基底表面生长聚(3,4‑亚乙二氧基噻吩)‑聚(苯乙烯磺酸)薄膜，薄膜厚度控制10～50nm；(2)在聚(3,4‑亚乙二氧基噻吩)‑聚(苯乙烯磺酸)薄膜上旋涂压印胶，厚度控制30～1000nm；(3)采用纳米压印技术，一定压印温度下，用微米级模板在压印胶表面构筑纳米结构；(4)利用各向异性等离子刻蚀技术，把压印胶的纳米结构转移到聚(3,4‑亚乙二氧基噻吩)‑聚(苯乙烯磺酸)表面，制备出10～500nm的聚(3,4‑亚乙二氧基噻吩)‑聚(苯乙烯磺酸)纳米线。
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