[发明专利]一种LED外延层生长方法

摘要

本申请公开了一种LED外延层生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温缓冲层GaN、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长SiInN/InAlN超晶格电流扩展层、生长发光层、生长P型AlGaN层、生长掺杂Mg的P型GaN层、降温冷却。本发明通过在生长掺杂Si的N型GaN层之后、生长发光层之前，引入生长SiInN/InAlN超晶格电流扩展层，使发光层的电流分布相对变得均匀，发光效率得到提高，电流拥挤的情况得到改善，电压得到下降。

主权项

1.一种LED外延层生长方法，其特征在于，依次包括：处理衬底、生长低温缓冲层GaN、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长发光层、生长P型AlGaN层、生长掺杂Mg的P型GaN层、降温冷却，在所述生长掺杂Si的N型GaN层之后、所述生长发光层之前，还包括：生长SiInN/InAlN超晶格电流扩展层，所述生长SiInN/InAlN超晶格电流扩展层，具体为：保持反应腔压力400mbar、保持温度800℃，通入流量为60000sccm的NH₃、1700sccm的TMIn、120L/min的N₂、2sccm的SiH₄，生长厚度为1nm‐5nm的SiInN层；保持反应腔压力400mbar、保持温度800℃，通入流量为60000sccm的NH₃、150sccm的TMAl、120L/min的N₂、1700sccm的TMIn，生长厚度为5nm‐10nm的InAlN层；周期性生长所述SiInN层和所述InAlN层，生长周期为10‐20，或者，按照上述参数先生长所述InAlN层，再生长所述SiInN层，然后周期性循环10‐20个周期。