[发明专利]一种LED外延超晶格生长方法有效
| 申请号： | 201611004577.5 | 申请日： | 2016-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN106409999B | 公开（公告）日： | 2018-11-27 |
| 发明（设计）人： | 徐平 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 长沙七源专利代理事务所(普通合伙) 43214 | 代理人： | 郑隽 |
| 地址： | 423038 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种LED外延超晶格生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温缓冲层GaN、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长InAlN/Mg2N3超晶格层、生长发光层、生长P型AlGaN层、生长掺杂Mg的P型GaN层、降温冷却。在所述生长掺杂Si的N型GaN层之后、所述生长发光层之前，引入InAlN/Mg2N3超晶格层，能够扩展LED电流，提升LED的发光效率，同时使得LED的各项电性参数变好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 外延 晶格 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种LED外延超晶格生长方法，其特征在于，依次包括：处理衬底、生长低温缓冲层GaN、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长发光层、生长P型AlGaN层、生长掺杂Mg的P型GaN层、降温冷却，在所述生长掺杂Si的N型GaN层之后、所述生长发光层之前，还包括：生长InAlN/Mg2N3超晶格层，所述生长InAlN/Mg2N3超晶格层，具体为：保持反应腔压力480mbar、保持温度950℃，通入流量为40000sccm的NH3、250sccm的TMAl、100L/min‑130L/min的N2、1800sccm的TMIn，生长厚度为10nm‑20nm的InAlN层；保持反应腔压力480mbar、保持温度950℃，通入流量为55000sccm的NH3、120L/min的H2、2000sccm的Cp2Mg生长5‑15nm的Mg2N3层；周期性生长所述InAlN层和所述Mg2N3层，生长周期为10‑20，或者，在上述相同工艺条件下，先生长所述Mg2N3层，再生长所述InAlN层，然后周期性循环10‑20个周期。
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