[发明专利]热压键合装置有效
申请号: | 201611000668.1 | 申请日: | 2016-11-14 |
公开(公告)号: | CN106981444B | 公开(公告)日: | 2021-12-14 |
发明(设计)人: | 奇泳植;尹雄焕;金荣荷 | 申请(专利权)人: | 韩美半导体 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 赵爱玲;赵赫 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明公开了一种利用热压将芯片键合至基板上的热压键合装置,基于本发明实施例的热压键合装置,其特征在于,包括:基板上键合单个单元半导体芯片且吸附半导体芯片的吸头、向吸头底部供给薄膜的薄膜供给装置以及穿孔薄膜的打孔装置。打孔装置包括:基座;安装在基座上用于薄膜穿孔的打孔销;支撑薄膜底部且形成有贯通销容纳孔的保持块,保持块可上下移动,当保持块向下移动时,所述打孔销对所述薄膜进行穿孔。 | ||
搜索关键词: | 热压 装置 | ||
【主权项】:
一种热压键合装置,所述热压键合装置将单个半导体芯片热压键合于基板的安装位置上,其包括:材料供给部,供给切割成单个单元的半导体芯片的材料;翻转拾取器,从所述材料供给部拾取所述半导体芯片并翻转上下面;单元拾取器,从所述翻转拾取器接收单个半导体芯片,并放置于装载芯片的片状块上;吸头,形成有用于支撑吸附所述片状块上的半导体芯片的吸附孔,下端设置有薄膜,以通过薄膜吸附所述半导体芯片;薄膜供给装置,向所述吸头下端供给薄膜;打孔装置,具备支撑所述薄膜底面且内部形成有贯穿打孔销的销容纳孔,以在所述薄膜的与所述吸头上形成的吸附孔相对的位置形成孔;以及加热台,放置有用于对所述吸头吸附的半导体芯片进行热压键合的基板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造