[发明专利]CMOS工艺中单粒子效应调制下阱电势测量电路

摘要

本发明公开了CMOS工艺中单粒子效应调制下阱电势测量电路，包括采集M个阱接触电势值的采集模块、对应N个不同时钟信号CLK的D触发器模块和PISO输出模块；通过采集不同位置的阱电势值控制空间位置精度，通过采集模块中NAND门的翻转阈值的不同来控制测量阱电势的数值精度，在多个由不同时钟信号控制的一级时控D触发器子模块的基础上，通过控制各子模块的时钟信号来设置测量阱电势的时间精度，由此实现单粒子效应调制的阱电势在时空上的数值分布测量。本发明适用于P型衬底中的N阱在单粒子效应调制下电势的测量以及N型衬底中P阱在单粒子效应调制下电势的测量。

主权项

1.CMOS工艺中单粒子效应调制下阱电势测量电路，其特征是，包括采集M个阱接触电势值的采集模块、对应N个不同时钟信号CLK的D触发器模块和PISO输出模块；采集模块包括N个一级时间精度采集子模块，每个一级时间精度采集子模块包括对应各阱接触的M个二级位置精度采集子模块，每个二级位置精度采集子模块包括S个三级数值精度采集子模块，每个三级数值精度采集子模块包括NAND门和非门，NAND门的一个输入端连接SET信号，另一个输入端连接与NAND门所在三级数值精度采集子模块所属二级位置精度采集子模块相对应的阱接触的电势值，NAND门的输出端连接非门的输入端；D触发器模块包括对应各时钟信号的N个一级时控D触发器子模块，每个一级时控D触发器子模块包括对应各二级位置精度采集子模块的M个二级D触发器子模块，每个二级D触发器子模块包括对应各三级数值精度采集子模块的S个D触发器，每个一级时控D触发器子模块中所有D触发器的触发信号为相应的时钟信号CLK，D触发器的输入端连接相应三级数值精度采集子模块中非门的输出端；PISO输出模块包括与N个一级时控D触发器子模块相对应的N个PISO输出子模块，每个PISO输出子模块包括移位寄存器，移位寄存器的输入端连接相应的一级时控D触发器子模块中所有D触发器的输出端。