[发明专利]场效晶体管在审
| 申请号： | 201610998989.9 | 申请日： | 2016-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN106887461A | 公开（公告）日： | 2017-06-23 |
| 发明（设计）人： | 杨育佳;叶凌彦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种场效晶体管(FET)，包含在基板上的黑磷(BP)层。BP层包含通道、源极及漏极区域。FET进一步包含在BP层上且与其直接接触的钝化层。钝化层提供分别在源极及漏极区域上的第一及第二开口。FET进一步包含经由第一及第二开口与源极及漏极区域直接接触的源极及漏极接触件。FET进一步包含在通道区域上的栅电极。在一实施例中，钝化层进一步包含在通道区域上的第三开口且FET进一步包含经由第三开口与通道区域直接接触的栅极介电层。亦揭露制造FET的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 | ||
【主权项】：
一种场效晶体管，其特征在于，包含：一黑磷层，位于一基板上方，该黑磷层包含一通道区域、一源极区域及一漏极区域；一钝化层，位于该黑磷层上方且与该黑磷层直接接触，该钝化层具有位于该源极区域上方的一第一开口及位于该漏极区域上方的一第二开口；一源极接触件，经由该第一开口而与该源极区域直接接触；一漏极接触件，经由该第二开口而与该漏极区域直接接触；以及一栅电极，位于该通道区域上方。
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