[发明专利]一种采用H桥技术设计的电机驱动电路

摘要

本发明公开了一种采用H桥技术设计的电机驱动电路，设置有电机线圈控制电路、A相输入电路、B相输入电路及保护电路，所述A相输入电路和B相输入电路皆与电机线圈控制电路相连接，所述保护电路连接电机线圈控制电路，在所述电机线圈控制电路内设置有电机AB相绕组L、场效应管VT1、场效应管VT2、场效应管VT3、场效应管VT4、二极管D6、二极管D7、二极管D9、二极管D10、二极管D11、二极管D12、二极管D13、二极管D14；能够实现双极性的电机驱动，在提高电源电压的基础上改进步进电机的频率特性。

主权项

一种采用H桥技术设计的电机驱动电路，其特征在于：设置有电机线圈控制电路、A相输入电路、B相输入电路及保护电路，所述A相输入电路和B相输入电路皆与电机线圈控制电路相连接，所述保护电路连接电机线圈控制电路，在所述电机线圈控制电路内设置有电机AB相绕组L、场效应管VT1、场效应管VT2、场效应管VT3、场效应管VT4、二极管D6、二极管D7、二极管D9、二极管D10、二极管D11、二极管D12、二极管D13、二极管D14，所述场效应管VT1的源极通过二极管D6连接电机AB相绕组L的A相端，A相端通过二极管D7与场效应管VT2的漏极相连接，场效应管VT2的源极与场效应管VT4的源极相连接且接地，场效应管VT4的漏极通过二极管D14连接电机AB相绕组L的B相端，B相端通过二极管D13与场效应管VT3的源极相连接，场效应管VT3的漏极与场效应管VT1的漏极相连接；所述二极管D9的正极及二极管D10的负极皆连接A相端，二极管D9的负极与二极管D11的负极相连接，二极管D11的正极连接B相端，B相端连接二极管D12的负极，二极管D12的正极与二极管D10的正极相连接且接地；场效应管VT1的栅极连接A相输入电路，场效应管VT2的栅极和场效应管VT4的栅极皆与保护电路相连接，场效应管VT3的栅极连接B相输入电路。