[发明专利]鳍式场效应管的制造方法

摘要

一种鳍式场效应管的制造方法，包括：在基底、鳍部以及栅极上形成光刻胶膜，光刻胶膜顶部高于所述栅极顶部，且曝光区域与非曝光区域的分界线位于相邻栅极之间；对曝光区域的光刻胶膜进行曝光处理；对光刻胶膜进行曝光后烘烤处理，使得第二区域的光酸扩散至非曝光区域中低于栅极顶部的光刻胶膜内；对光刻胶膜进行显影处理，去除曝光区域以及非曝光区域中低于栅极顶部的光刻胶膜，保留位于非曝光区域中高于栅极顶部的光刻胶膜作为光刻胶层；以光刻胶层为掩膜，对暴露出的鳍部进行功能性掺杂。本发明改善了形成的鳍式场效应管的电学性能。

主权项

1.一种鳍式场效应管的制造方法，其特征在于，包括：提供基底，凸出于所述基底上的分立的鳍部，以及位于所述基底上且横跨所述鳍部的多个栅极，其中，每一栅极覆盖至少一个鳍部的顶部和侧壁；在所述基底、鳍部以及栅极上形成光刻胶膜，所述光刻胶膜顶部高于所述栅极顶部，且所述光刻胶膜包括若干曝光区域以及非曝光区域，曝光区域中高于栅极顶部的区域为第一区域，曝光区域中低于栅极顶部的区域为第二区域，所述曝光区域位于至少一个鳍部的正上方且曝光区域与非曝光区域的分界线位于相邻栅极之间；对所述曝光区域的光刻胶膜进行曝光处理，且所述第一区域的光刻胶膜内产生的光酸含量小于第二区域的光刻胶膜内产生的光酸含量；在所述曝光处理之后，对所述光刻胶膜进行曝光后烘烤处理，使得所述第二区域的光酸扩散至非曝光区域中低于栅极顶部的光刻胶膜内；在所述曝光后烘烤处理之后，对所述光刻胶膜进行显影处理，去除非曝光区域中低于栅极顶部以及曝光区域的光刻胶膜，保留位于非曝光区域中高于栅极顶部的光刻胶膜作为光刻胶层，所述光刻胶层横跨至少一个栅极且暴露出部分鳍部；以所述光刻胶层为掩膜，对所述暴露出的鳍部进行功能性掺杂。