[发明专利]基于单向再生比较器的预加重电路

摘要

本发明公开了一种基于单向再生比较器的预加重电路，包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第十一MOS管和压控电压源，第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管和第九MOS管构成再生比较器，第十MOS管和第十一MOS管为两个辅助开关管，压控电压源作为缓冲级；优点是结构简单，延迟较小，具有较高的精度和稳定性。

主权项

一种基于单向再生比较器的预加重电路，其特征在于包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第十一MOS管和压控电压源；所述的压控电压源具有正向输入端、负向输入端、偏置端和输出端；所述的第一MOS管、所述的第二MOS管、所述的第三MOS管和所述的第四MOS管均为P型MOS管，所述的第五MOS管、所述的第六MOS管、所述的第七MOS管、所述的第八MOS管、所述的第九MOS管、所述的第十MOS管和所述的第十一MOS管均为N型MOS管；所述的第一MOS管的源极、所述的第二MOS管的源极源极、所述的第三MOS管的源极和所述的第四MOS管的源极分别与电源的正端连接，所述的第一MOS管的栅极和所述的第二MOS管的栅极连接且其连接端为所述的预加重电路的第一时钟信号输入端，所述的预加重电路的第一时钟信号输入端接入第一时钟信号，所述的第一MOS管的漏极、所述的第三MOS管的漏极、所述的第四MOS管的栅极、所述的第五MOS管的漏极、所述的第六MOS管的栅极、所述的第十MOS管的漏极、所述的第十一MOS管的漏极和所述的压控电压源的正向输入端连接，所述的第二MOS管的漏极、所述的第三MOS管的栅极、所述的第四MOS管的漏极、所述的第五MOS管的栅极和所述的第六MOS管的漏极连接，所述的第五MOS管的源极和所述的第七MOS管的漏极连接，所述的第六MOS管的源极和所述的第八MOS管的漏极连接，所述的第七MOS管的源极、所述的第八MOS管的源极和所述的第九MOS管的漏极连接，所述的第七MOS管的栅极为所述的预加重电路的第一差分信号输入端，所述的第八MOS管的栅极为所述的预加重电路的第二差分信号输入端，所述的第九MOS管的栅极为所述的预加重电路的第二时钟信号输入端，所述的预加重电路的第二时钟信号输入端接入第二时钟信号，所述的第九MOS管的源极为所述的预加重电路的第一偏置控制端，所述的预加重电路的第一偏置控制端接入第一偏置控制电压，所述的第十MOS管的栅极为所述的预加重电路的第四时钟信号输入端，所述的预加重电路的第四时钟信号输入端接入第四时钟信号，所述的第十一MOS管的栅极为所述的预加重电路的第三时钟信号输入端，所述的预加重电路的第三时钟信号输入端接入第四时钟信号，所述的第十MOS管的源级为所述的预加重电路的第二偏置控制端，所述的预加重电路的第二偏置控制端接入第二偏置控制电压，所述的第十一MOS管的源极与电源的负端连接；所述的压控电压源的负向输入端和偏置端均接地，所述的压控电源的输出端为所述的预加重电路的输出端。