[发明专利]一种碲化铋基N型热电材料及其制备方法有效
申请号: | 201610981665.4 | 申请日: | 2016-11-09 |
公开(公告)号: | CN106571422B | 公开(公告)日: | 2022-03-22 |
发明(设计)人: | 刘宏;施毅;刘晓晗 | 申请(专利权)人: | 苏州科技大学;苏州窄带半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L35/16 | 分类号: | H01L35/16;H01L35/34 |
代理公司: | 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人: | 崔自京 |
地址: | 215009 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: |
本发明公开一种碲化铋基N型热电材料及其制备方法。采用熔混、区熔两步法进行合成。合成方法:将可选用单质原料按Bi |
||
搜索关键词: | 一种 碲化铋基 热电 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种碲化铋基N型热电材料Bi2(Te1‑xSex)3的制备方法,包括以下工艺步骤:将可选用单质原料按 Bi2(Te1‑xSex)3,0.02 ≤ x ≤ 0.1,化学式含量称重,在所称重量基础上添加重量百分比为0.01% ‑ 0.03%的金属锑(Sb)和重量百分比为0.03% ‑ 0.06%的非金属碘(I),所有单质原料的纯度为4N以上;装入底部烧结较平石英管中进行抽真空封管,然后装入电阻加热的摇摆炉,将石英管竖直放置,在810℃±10℃反应20至30小时,在反应过程中不定时的对炉体进行摇摆,反应结束将石英管放置到竖直位置,然后以3℃/h±1℃/h的速率缓慢降温至700℃±5℃,保温1‑2小时后再以5℃/h±0.5℃/h的速率降温到650℃±5℃,随后在该温度退火3小时后自然冷却到室温,取出石英管放置到垂直区熔炉上进行脉冲区熔;
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州科技大学;苏州窄带半导体科技有限公司,未经苏州科技大学;苏州窄带半导体科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610981665.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。